DRV8770
- 100-V H-bridge gate driver
- Drives N-channel MOSFETs (NMOS)
- Gate driver supply (GVDD): 5-20 V
- MOSFET supply (SHx) support up to 100 V
- Integrated bootstrap diodes
- Supports inverting and non-inverting INLx inputs (QFN package)
- Bootstrap gate drive architecture
- 750-mA source current
- 1.5-A Sink current
- Supports up to 15s battery powered applications
- Low leakage current on SHx pins (<55 µA)
- Absolute maximum BSTx voltage upto 115-V
- Supports negative transients down to -22 V on SHx pins
-
Adjustable deadtime through DT pin in QFN package
- Fixed Deadtime insertion of 200 ns in TSSOP package
- Supports 3.3-V, and 5-V logic inputs with 20-V abs max
- 4-ns typical propogation delay matching
- Compact QFN and TSSOP packages and footprints
- Efficient system design with Power Blocks
- Integrated protection features
- BST undervoltage lockout (BSTUV)
- GVDD undervoltage (GVDDUV)
The DRV8770 device provides two half-bridge gate drivers, each capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The integrated bootstrap diode and external capacitor generate the correct gate drive voltages for the high-side MOSFETs while the GVDD drives the gates of the low-side MOSFETs. The gate drive architecture supports gate drive currents up to 750-mA source and 1.5-A sink.
The high voltage tolerance of the gate drive pins improves system robustness. The SHx phase pins can tolerate significant negative voltage transients, while the high-side gate driver supply can support higher positive voltage transients (115-V absolute maximum) on the BSTx and GHx pins. Small propagation delay and delay matching specifications minimize the dead-time requirement which further improves efficiency. Undervoltage protection is provided for both low and high side through GVDD and BST undervoltage lockout.
기술 자료
| 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | DRV8770: 100-V Brushed DC Gate Driver datasheet | PDF | HTML | 2021/06/29 |
| User guide | DRV8770 100-V Gate Driver Evaluation Module | PDF | HTML | 2021/09/29 | |
| Certificate | DRV8770EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) | 2021/08/16 |
설계 및 개발
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DRV8770EVM — DRV8770 100V 게이트 드라이버 평가 모듈
DRV8770 평가 모듈(EVM)을 사용하면 DRV8770 디바이스를 쉽게 평가할 수 있습니다.
DRV8770 장치는 각각 고압측과 저압측 N-채널 전원 MOSFET를 구동하는 기능을 가진 하프 브리지 게이트 드라이버 2개를 제공합니다. DRV8770에는 BST 부족 전압 잠금, GVDD 부족 전압 및 열 셧다운과 같은 보호 기능이 포함되어 있습니다.
EVM에는 온보드 벅 컨버터와 LDO가 있어 보드의 모든 구성 요소와 H 브리지 고압측 전원 공급 장치에 전원을 공급합니다. EVM에는 입력 제어 핀(INHA, INLA, INHB, (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (RGE) | 24 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.