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open-in-new 대안 비교
비교 대상 장치와 유사한 기능
INA121 활성 FET 입력, 저전력 계측 증폭기 INA121 has lower offset and higher CMRR, with half the power consumption
INA819 활성 저전력(350µA), ±60V 과전압 보호 기능을 갖춘 정밀 계측 증폭기(게인 핀 2, 3) INA121 has lower offset and higher CMRR, with half the power consumption

제품 상세 정보

Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 9 Input offset (±) (max) (µV) 2000 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 28 CMRR (min) (dB) 86 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 5 Input bias current (±) (max) (nA) 0.000025 Iq (typ) (mA) 1 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 0.8 Gain error (±) (max) (%) 0.7 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.005 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.7 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 2.4 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -2 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 2
Number of channels 1 Vs (max) (V) 36 Vs (min) (V) 9 Input offset (±) (max) (µV) 2000 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 28 CMRR (min) (dB) 86 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 5 Input bias current (±) (max) (nA) 0.000025 Iq (typ) (mA) 1 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 0.8 Gain error (±) (max) (%) 0.7 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.005 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.2 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.7 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 2.4 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -2 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 2
PDIP (N) 16 181.42 mm² 19.3 x 9.4 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet Ultra Low Input Bias Current Instrumentation Amplifier datasheet 2000/09/27

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치