DRV8428E

ACTIVO

Controlador de motor bipolar paso a paso o de doble escobilla de 35 V y 1 A con detección de corrien

Detalles del producto

Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 35 Full-scale current (A) 1 Peak output current (A) 1.7 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 1500 Sleep current (µA) 2 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO) Features Current Regulation, Integrated Current Sensing, Smart Tune Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 35 Full-scale current (A) 1 Peak output current (A) 1.7 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 1500 Sleep current (µA) 2 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO) Features Current Regulation, Integrated Current Sensing, Smart Tune Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
HTSSOP (PWP) 16 32 mm² 5 x 6.4 WQFN (RTE) 16 9 mm² 3 x 3
  • Dual H-bridge motor driver
    • One bipolar stepper motor
    • Dual bidirectional brushed-DC motors
    • Four unidirectional brushed-DC motors
  • Integrated current sense functionality
    • No sense resistors required
    • ±6% Full-scale current accuracy
  • 4.2-V to 33-V Operating supply voltage range
  • Multiple control interface options
    • PHASE/ENABLE (PH/EN)
    • PWM (IN/IN)
  • Smart tune, and mixed decay options
  • 1500 mΩ HS + LS RDS(ON) at 24 V, 25°C
  • Current Capacity: 1.7-A peak, 0.7-A rms
  • Configurable Off-Time PWM Chopping
    • 7, 16 or 32 µs
  • Supports 1.8-V, 3.3-V, 5.0-V logic inputs
  • Low-current sleep mode (2 µA)
  • Spread spectrum clocking for low EMI
  • Inrush current limiting in brushed-DC applications
  • Small package and footprint
  • Protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Overcurrent protection (OCP)
    • Thermal shutdown (OTSD)
  • Dual H-bridge motor driver
    • One bipolar stepper motor
    • Dual bidirectional brushed-DC motors
    • Four unidirectional brushed-DC motors
  • Integrated current sense functionality
    • No sense resistors required
    • ±6% Full-scale current accuracy
  • 4.2-V to 33-V Operating supply voltage range
  • Multiple control interface options
    • PHASE/ENABLE (PH/EN)
    • PWM (IN/IN)
  • Smart tune, and mixed decay options
  • 1500 mΩ HS + LS RDS(ON) at 24 V, 25°C
  • Current Capacity: 1.7-A peak, 0.7-A rms
  • Configurable Off-Time PWM Chopping
    • 7, 16 or 32 µs
  • Supports 1.8-V, 3.3-V, 5.0-V logic inputs
  • Low-current sleep mode (2 µA)
  • Spread spectrum clocking for low EMI
  • Inrush current limiting in brushed-DC applications
  • Small package and footprint
  • Protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Overcurrent protection (OCP)
    • Thermal shutdown (OTSD)

The DRV8428E/P devices are dual H-bridge motor drivers for a wide variety of industrial applications. The devices can be used for driving two DC motors, or a bipolar stepper motor. The DRV8428E/P are capable of driving up to 1-A full scale or 0.7-A rms output current (dependent on PCB design).

The output stage of the driver consists of N-channel power MOSFETs configured as two full H-bridges, current sensing and regulation, and protection circuitry. The integrated current sensing uses an internal current mirror architecture, removing the need for a large power shunt resistor, saving board area and reducing system cost. A low-power sleep mode is provided to achieve ultra- low quiescent current draw by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection features are provided for supply undervoltage lockout (UVLO), output overcurrent (OCP), and device overtemperature (TSD).

The DRV8428E/P devices are dual H-bridge motor drivers for a wide variety of industrial applications. The devices can be used for driving two DC motors, or a bipolar stepper motor. The DRV8428E/P are capable of driving up to 1-A full scale or 0.7-A rms output current (dependent on PCB design).

The output stage of the driver consists of N-channel power MOSFETs configured as two full H-bridges, current sensing and regulation, and protection circuitry. The integrated current sensing uses an internal current mirror architecture, removing the need for a large power shunt resistor, saving board area and reducing system cost. A low-power sleep mode is provided to achieve ultra- low quiescent current draw by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection features are provided for supply undervoltage lockout (UVLO), output overcurrent (OCP), and device overtemperature (TSD).

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
HTSSOP (PWP) 16 Ultra Librarian
WQFN (RTE) 16 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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