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DRV8436E

ACTIVO

Controlador de motor bipolar paso a paso o de doble escobilla de 48 V y 1.5 A con detección de corri

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DRV8436E

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Detalles del producto

Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 50 Full-scale current (A) 1.5 Peak output current (A) 2.5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 900 Sleep current (µA) 2 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO) Features Integrated Current Sensing, Smart Tune Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of full bridges 2 Vs (min) (V) 4.5 Vs ABS (max) (V) 50 Full-scale current (A) 1.5 Peak output current (A) 2.5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 900 Sleep current (µA) 2 Control mode PH/EN, PWM Control interface Hardware (GPIO) Features Integrated Current Sensing, Smart Tune Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
HTSSOP (PWP) 28 62.08 mm² 9.7 x 6.4 VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • Dual H-bridge motor driver
    • One bipolar stepper motor
    • Dual bidirectional brushed-DC motors
    • Four unidirectional brushed-DC motors
  • Integrated current sense functionality
    • No sense resistors required
    • ±7.5% Full-scale current accuracy
  • 4.5- to 48-V Operating supply voltage range
  • Multiple control interface options
    • PHASE/ENABLE
    • PWM
  • Smart tune decay technology, fixed slow, fast and mixed decay options
  • Low RDS(ON): 900 mΩ HS + LS at 24 V, 25°C
  • High Current Capacity Per Bridge: 2.4-A peak, 1.5-A Full-Scale, 1.1-A rms
  • Configurable Off-Time PWM Chopping
    • 7, 16, 24 or 32 µs
  • Supports 1.8-V, 3.3-V, 5.0-V logic inputs
  • Low-current sleep mode (2 µA)
  • Spread spectrum clocking for low electromagnetic interference (EMI)
  • Small package and footprint
  • Protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Charge pump undervoltage (CPUV)
    • Overcurrent protection (OCP)
    • Thermal shutdown (OTSD)
    • Fault condition output (nFAULT)
  • Dual H-bridge motor driver
    • One bipolar stepper motor
    • Dual bidirectional brushed-DC motors
    • Four unidirectional brushed-DC motors
  • Integrated current sense functionality
    • No sense resistors required
    • ±7.5% Full-scale current accuracy
  • 4.5- to 48-V Operating supply voltage range
  • Multiple control interface options
    • PHASE/ENABLE
    • PWM
  • Smart tune decay technology, fixed slow, fast and mixed decay options
  • Low RDS(ON): 900 mΩ HS + LS at 24 V, 25°C
  • High Current Capacity Per Bridge: 2.4-A peak, 1.5-A Full-Scale, 1.1-A rms
  • Configurable Off-Time PWM Chopping
    • 7, 16, 24 or 32 µs
  • Supports 1.8-V, 3.3-V, 5.0-V logic inputs
  • Low-current sleep mode (2 µA)
  • Spread spectrum clocking for low electromagnetic interference (EMI)
  • Small package and footprint
  • Protection features
    • VM undervoltage lockout (UVLO)
    • Charge pump undervoltage (CPUV)
    • Overcurrent protection (OCP)
    • Thermal shutdown (OTSD)
    • Fault condition output (nFAULT)

The DRV8436E/P devices are dual H-bridge motor drivers for a wide variety of industrial applications. The devices can be used for driving two DC motors, or a bipolar stepper motor. The output stage of the driver consists of N-channel power MOSFETs configured as two full H-bridges, charge pump regulator, current sensing and regulation, and protection circuitry. The integrated current sensing uses an internal current mirror architecture, removing the need for a large power shunt resistor, saving board area and reducing system cost. A low-power sleep mode is provided to achieve ultra- low quiescent current draw by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection features are provided for supply undervoltage lockout (UVLO), charge pump undervoltage (CPUV), output overcurrent (OCP), and device overtemperature (OTSD). The DRV8436E/P is capable of driving up to 1.5-A full scale or 1.1-A rms output current per H-bridge (dependent on PCB design).

The DRV8436E/P devices are dual H-bridge motor drivers for a wide variety of industrial applications. The devices can be used for driving two DC motors, or a bipolar stepper motor. The output stage of the driver consists of N-channel power MOSFETs configured as two full H-bridges, charge pump regulator, current sensing and regulation, and protection circuitry. The integrated current sensing uses an internal current mirror architecture, removing the need for a large power shunt resistor, saving board area and reducing system cost. A low-power sleep mode is provided to achieve ultra- low quiescent current draw by shutting down most of the internal circuitry. Internal protection features are provided for supply undervoltage lockout (UVLO), charge pump undervoltage (CPUV), output overcurrent (OCP), and device overtemperature (OTSD). The DRV8436E/P is capable of driving up to 1.5-A full scale or 1.1-A rms output current per H-bridge (dependent on PCB design).
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Note: DRV8436 HTSSOP has undergone a pin out change from 24-pin to 28-pin making it P2P with the rest of the DRV84xx family. Functionally, both the 24-pin and 28-pin version of the DRV8436 are the same.

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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
HTSSOP (PWP) 28 Ultra Librarian
VQFN (RGE) 24 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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