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TRF0208-SP

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Amplificador RF de extremo único a diferencial, desde casi CC hasta 11 GHz y ancho de banda de 3 dB

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TRF0208-SP

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Detalles del producto

Current consumption (mA) 130 Frequency (min) (MHz) 1 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) 25 to 25 Type Active Balun, RF FDA Rating Space
Current consumption (mA) 130 Frequency (min) (MHz) 1 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) 25 to 25 Type Active Balun, RF FDA Rating Space
WQFN-FCRLF (RPV) 12 4 mm² 2 x 2
  • Standard microcircuit drawing (SMD), 5962-24202
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 100krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 75MeV-cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 75MeV‑cm2/mg
  • Space-grade QMLP
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA
  • Standard microcircuit drawing (SMD), 5962-24202
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 100krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 75MeV-cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 75MeV‑cm2/mg
  • Space-grade QMLP
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA

The TRF0208-SP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance ADC12DJ5200-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using TI’s advanced complementary BiCMOS process, and available in a space-saving WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power savings.

The TRF0208-SP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance ADC12DJ5200-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using TI’s advanced complementary BiCMOS process, and available in a space-saving WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power savings.
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Documentación técnica

star =Principal documentación para este producto seleccionada por TI
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Tipo Título Fecha
* Data sheet TRF0208-SP Radiation-Hardness-Assured (RHA), Near-DC to 11GHz, Fully Differential RF Amplifier datasheet PDF | HTML 06 jun 2024
Technical article Phased array antenna systems: A new paradigm for electronics in satellites (Rev. A) PDF | HTML 11 jun 2024

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

TRF0208SP-EVM — Módulo de evaluación TRF0208-SP

El módulo de evaluación (EVM) TRF0208-SP se utiliza para evaluar el dispositivo TRF0208-SP, que es un amplificador de radiofrecuencia (RF) diferencial disponible en un encapsulado WQFN de 12 pines de 2 mm × 2 mm. El dispositivo está diseñado para accionar convertidores de señal analógica a digital (...)

Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
WQFN-FCRLF (RPV) 12 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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