パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (DW) | 16 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 2,000 | LARGE T&R |
ISO5451 の特徴
- 同相過渡耐圧 (CMTI)：50kV/µs (最小値)、100kV/µs (標準値) (V CM = 1500V)
- 2.5A ピーク・ソース電流および 5A ピーク・シンク電流
- 短い伝搬遅延：76ns (標準値)、 110ns (最大値)
- 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
- 出力短絡クランプ
- 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
- 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO)、レディ (RDY) ピンによる標示付き
- 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
- 入力電源電圧：3V～5.5V
- 出力ドライバ供給電圧：15V～30V
- CMOS 互換の入力
- 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
- 動作温度：-40℃～+125℃ (周囲)
- 絶縁サージ耐久電圧 10000V PK
- 安全関連の認定：
- 8000V PK V IOTM および 1420V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
- UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
- CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
- EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
- GB4943.1-2011 CQC 認定
ISO5451 に関する概要
ISO5451 は、IGBT および MOSFET 用の 5.7kV RMS、強化絶縁型ゲート・ドライバで、2.5A のソース電流と 5A のシンク電流を供給できます。入力側は、単一の 3V～5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。
内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過負荷状況にあることが認識されます。DESAT を検出すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 ポテンシャルまで Low に駆動され、IGBT はただちにオフになります。
不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。この FLT 出力状況はラッチされ、 RST 入力の Low アクティブのパルスによりリセットできます。
バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。
ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。
ISO5451 は、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～+125℃の周囲温度範囲について規定されています。