パッケージ情報
パッケージ | ピン数 SOIC (DW) | 16 |
動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
パッケージ数量 | キャリア 40 | TUBE |
ISO5852S-Q1 の特徴
- 車載アプリケーションに対応
- 下記内容でAEC-Q100認定済み:
- デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲 –40°C~125°C
- デバイスHBM分類レベル3A
- デバイスCDM分類レベルC6
- VCM = 1500Vのとき、最小同相過渡耐性(CMTI) 100kV/μs
- 分割出力により2.5Aのピーク・ソースおよび
5Aのピーク・シンク電流を供給 - 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
110ns (最大値) - 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
- 出力短絡クランプ
- 短絡時のソフト電源オフ(STO)機能
- 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
- 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
- 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
- 入力電源電圧: 2.25V~5.5V
- 出力ドライバ供給電圧: 15V~30V
- CMOS互換の入力
- 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
- 絶縁サージ耐久電圧: 12800VPK
- 安全関連の認定:
- 8000VPK VIOTMおよび2121VPK VIORMの、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
- UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
- CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、およびIEC 60601-1最終機器標準
- EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
- GB4943.1-2011 CQC認定
- UL、VDE、CQC、TUV準拠の認定は完了、CSAは計画中
アプリケーション
- 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
- HEVおよびEVの電源モジュール
- 産業用モータ制御ドライブ
- 産業用電源
- ソーラー・インバータ
- 誘導加熱
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ISO5852S-Q1 に関する概要
ISO5852S-Q1デバイスは、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS強化絶縁ゲート・ドライバで、分割出力のOUTHとOUTLがあり、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の2.25V~5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。
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内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過電流状況にあることが認識されます。DESATが検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTHピンがディセーブルされ、OUTLピンが2μsの間LOWになります。OUTLピンが、負の方向に最も大きい供給電圧であるVEE2との比較で2Vに達すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2の電位に強制的に設定され、IGBTはただちにオフになります。
不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT出力状況はラッチされ、RDYピンがHIGHに移行した後でのみ、RST入力のLOWアクティブ・パルスを使用してリセット可能です。
バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることを防止できます。
ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。
ISO5852S-Q1デバイスは、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。