データシート
TPS2043B
- 70mΩ ハイサイド MOSFET
- 500mA の連続電流
- 過熱および短絡保護
- 正確な電流制限 (最小 0.75A、最大 1.25A)
- 動作範囲：2.7V～5.5V
- 0.6ms の立ち上がり時間 (代表値)
- 低電圧誤動作防止
- デグリッチ フォルト レポート (OC)
- 電源投入時の OC グリッチなし
- スタンバイ時の最大電源電流： 1µA (シングル、デュアル) または 2µA (トリプル、クワッド)
- 周囲温度範囲：-40℃～85℃
- UL レコグナイズド、ファイル番号 E169910
- 一括構成用の TPS2042B および TPS2052B について追加の UL レコグニションを取得
TPS20xxB パワー ディストリビューション スイッチは、大きな容量性負荷があり、短絡が発生しやすいアプリケーションを対象としています。これらのデバイスは、複数のパワー スイッチを 1 つのパッケージに搭載する必要があるパワー ディストリビューション システム向けに、70mΩ N チャネル MOSFET パワー スイッチを内蔵しています。各スイッチは、ロジック イネーブル入力によって制御されます。ゲート ドライブは、スイッチング中の電流サージを最小限に抑えるためにパワー スイッチの立ち上がり時間と立ち下がり時間を制御するように設計された、内部チャージ ポンプによって提供されています。チャージ ポンプには外付け部品が不要で、最低 2.7V の電源で動作できます。
出力負荷が電流制限スレッショルドを超えた場合、または短絡が存在する場合、デバイスは定電流モードに切り替えて過電流 (OCx) ロジック出力を Low にすることで、出力電流を安全なレベルに制限します。連続的に大きな過負荷と短絡が発生すると、スイッチの消費電力が増加し、接合部温度が上昇すると、熱保護回路によってスイッチがシャットオフされ、損傷を防止します。デバイスの温度が十分に低下すると、自動的にサーマル シャットダウンからの回復が行われます。内部回路により、有効な入力電圧が印加されるまでスイッチがオフに維持されます。このパワー ディストリビューション スイッチは、電流制限を 1A (標準値) に設定するように設計されています。
技術資料
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4 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | TPS20xxB 電流制限、パワー・ディストリビューション・スイッチ データシート (Rev. P 翻訳版) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.P) | PDF | HTML | 2024年 8月 20日 |
| 証明書 | US-36986-UL Certificate of Compliance IEC 62368-1 | 2021年 3月 12日 | ||||
| セレクション・ガイド | 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) | 英語版 (Rev.R) | 2018年 9月 13日 | |||
| EVM ユーザー ガイド (英語) | Three-Channel Power Distribuiton Switch EVM (Rev. A) | 2008年 3月 13日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点