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TPSM63610

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7.5mm x 6.5mm Enhanced HotRod™ QFN 封止、高密度、36V 入力、1V ～ 20V 出力、8A パワー・モジュール

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製品詳細

Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Capable Topology Synchronous Buck Type Module Iout (max) (A) 8 Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 36 Vout (min) (V) 1 Vout (max) (V) 20 Switching frequency (min) (kHz) 200 Switching frequency (max) (kHz) 2200 Features EMI Tested, Enable, Frequency synchronization, Low Noise, Overcurrent protection, Power good, Spread Spectrum Control mode Peak-Current Duty cycle (max) (%) 98
Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 TI functional safety category Functional Safety-Capable Topology Synchronous Buck Type Module Iout (max) (A) 8 Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 36 Vout (min) (V) 1 Vout (max) (V) 20 Switching frequency (min) (kHz) 200 Switching frequency (max) (kHz) 2200 Features EMI Tested, Enable, Frequency synchronization, Low Noise, Overcurrent protection, Power good, Spread Spectrum Control mode Peak-Current Duty cycle (max) (%) 98
B3QFN (RDF) 22 48.75 mm² 7.5 x 6.5
  • 機能安全対応
  • 用途の広い 36VIN、8AOUT 同期整流式降圧モジュール
    • MOSFET、インダクタ、コントローラを内蔵
    • 出力電圧を調整可能、1V～20V
    • 6.5mm × 7.5mm × 4mm のオーバーモールド・パッケージ
    • -40℃～125℃の接合部温度範囲
    • 200kHz～2.2MHz の範囲で周波数を調整可能
    • 負電圧出力に対応可能
  • 全負荷範囲にわたって極めて高い効率を実現
    • 95% 以上のピーク効率
    • 外部バイアス・オプションによる効率向上
    • 放熱パッドによる熱インピーダンスの低減。EVM θJA = 18.2℃/W
    • シャットダウン時静止電流：0.6µA (標準値)
  • 非常に小さい伝導および放射 EMI シグネチャ
    • デュアル入力パスと内蔵コンデンサを備えた低ノイズ・パッケージにより、スイッチのリンギングが減少
    • 抵抗により調整可能なスイッチ・ノードのスルーレート
    • CISPR 11 および 32 Class B の放射規格に準拠
  • スケーラブルな電源に対応した設計
    • TPSM63608 (36V、6A) とピン互換
  • 堅牢な設計のための本質的な保護機能
    • 高精度のイネーブル入力とオープン・ドレインの PGOOD インジケータによるシーケンシング、制御、VIN UVLO
    • 過電流およびサーマル・シャットダウン保護機能
  • WEBENCH Power Designer により、TPSM63610 を使用するカスタム設計を作成
  • 機能安全対応
  • 用途の広い 36VIN、8AOUT 同期整流式降圧モジュール
    • MOSFET、インダクタ、コントローラを内蔵
    • 出力電圧を調整可能、1V～20V
    • 6.5mm × 7.5mm × 4mm のオーバーモールド・パッケージ
    • -40℃～125℃の接合部温度範囲
    • 200kHz～2.2MHz の範囲で周波数を調整可能
    • 負電圧出力に対応可能
  • 全負荷範囲にわたって極めて高い効率を実現
    • 95% 以上のピーク効率
    • 外部バイアス・オプションによる効率向上
    • 放熱パッドによる熱インピーダンスの低減。EVM θJA = 18.2℃/W
    • シャットダウン時静止電流：0.6µA (標準値)
  • 非常に小さい伝導および放射 EMI シグネチャ
    • デュアル入力パスと内蔵コンデンサを備えた低ノイズ・パッケージにより、スイッチのリンギングが減少
    • 抵抗により調整可能なスイッチ・ノードのスルーレート
    • CISPR 11 および 32 Class B の放射規格に準拠
  • スケーラブルな電源に対応した設計
    • TPSM63608 (36V、6A) とピン互換
  • 堅牢な設計のための本質的な保護機能
    • 高精度のイネーブル入力とオープン・ドレインの PGOOD インジケータによるシーケンシング、制御、VIN UVLO
    • 過電流およびサーマル・シャットダウン保護機能
  • WEBENCH Power Designer により、TPSM63610 を使用するカスタム設計を作成

同期整流式降圧モジュール ファミリから派生した TPSM63610 は、パワー MOSFET、シールド付きインダクタ、受動部品を Enhanced HotRod™ QFN パッケージで組み合わせた高集積 36V、8A DC/DC 設計です。このモジュールは、VIN および VOUT ピンをパッケージの角に配置し、入力および出力コンデンサの配置を最適化しています。モジュールの下面には大きな 4 つのサーマル・パッドがあるため、単純なレイアウトが可能で、製造時の扱いも容易です。

出力電圧が 1V～20V の TPSM63610 は、小さな PCB フットプリントで低 EMI の設計を迅速かつ容易に実装できるよう設計されています。このトータル・ソリューションを使用すると、外付け部品はわずか 4 個で済み、設計プロセスで磁気および補償のための部品選択も不要です。

TPSM63610 デバイスはスペースに制約のあるアプリケーション向けに小型でシンプルな設計となっていますが、調整可能な入力電圧 UVLO 用のヒステリシス付き高精度イネーブル、抵抗によりプログラム可能なスイッチ ノードのスルーレート、EMI 改善のためのスペクトラム拡散機能など、堅牢な性能を実現するための多くの機能を備えています。また、VCC、ブートストラップ、入力コンデンサを内蔵しているため、信頼性と密度が向上します。このデバイスは、全負荷電流範囲 (FPWM) にわたって一定のスイッチング周波数に設定することも、可変周波数 (PFM) に設定して軽負荷時の効率を高めることもできます。シーケンシング、フォルト保護、出力電圧監視用の PGOOD インジケータも内蔵しています。

同期整流式降圧モジュール ファミリから派生した TPSM63610 は、パワー MOSFET、シールド付きインダクタ、受動部品を Enhanced HotRod™ QFN パッケージで組み合わせた高集積 36V、8A DC/DC 設計です。このモジュールは、VIN および VOUT ピンをパッケージの角に配置し、入力および出力コンデンサの配置を最適化しています。モジュールの下面には大きな 4 つのサーマル・パッドがあるため、単純なレイアウトが可能で、製造時の扱いも容易です。

出力電圧が 1V～20V の TPSM63610 は、小さな PCB フットプリントで低 EMI の設計を迅速かつ容易に実装できるよう設計されています。このトータル・ソリューションを使用すると、外付け部品はわずか 4 個で済み、設計プロセスで磁気および補償のための部品選択も不要です。

TPSM63610 デバイスはスペースに制約のあるアプリケーション向けに小型でシンプルな設計となっていますが、調整可能な入力電圧 UVLO 用のヒステリシス付き高精度イネーブル、抵抗によりプログラム可能なスイッチ ノードのスルーレート、EMI 改善のためのスペクトラム拡散機能など、堅牢な性能を実現するための多くの機能を備えています。また、VCC、ブートストラップ、入力コンデンサを内蔵しているため、信頼性と密度が向上します。このデバイスは、全負荷電流範囲 (FPWM) にわたって一定のスイッチング周波数に設定することも、可変周波数 (PFM) に設定して軽負荷時の効率を高めることもできます。シーケンシング、フォルト保護、出力電圧監視用の PGOOD インジケータも内蔵しています。
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技術資料

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* データシート TPSM63610 高密度、3V～36V 入力、 1V～20V 出力 8A (10A ピーク)、 Enhanced HotRod™ QFN パッケージ採用、同期整流式降圧 DC/DC 電源モジュール、 データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 1月 2日
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証明書 TPSM63610EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) 2022年 8月 9日

設計および開発

デスクトップにある「Design & development」(設計と開発) セクションをご覧ください。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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