パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (DW) | 16 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 40 | TUBE |
UCC21732-Q1 の特徴
- 5.7kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
- 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1：動作時周囲温度範囲：-40℃～+125℃
- デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
- デバイス CDM ESD 分類レベル C3
- 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
- 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
- ±10A の駆動能力と分割出力
- 最小 CMTI：150V/ns
- 270ns の応答時間による高速過電流保護
- 外部アクティブ ミラー クランプ
- フォルト発生時の内部 2 レベル ターンオフ
- PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
- NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
- 高電圧 DC リンクまたは相電圧
- 過電流 FLT アラームと RST/EN からのリセット
- RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
- 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
- 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
- 最大 5V のオーバー/アンダー シュート過渡電圧に耐える入力/出力
- 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
- 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
- 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
- 安全関連認証：
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁：8000VPK (VIOTM)、2121VPK (VIORM)
- UL 1577 に準拠した絶縁耐圧：5700VRMS (1 分間)
UCC21732-Q1 に関する概要
UCC21732-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21732-Q1 は最大 ±10A のピーク 電流をソースおよびシンクできます。
入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁されており、最大 1.5kVRMS の動作電圧、絶縁バリア寿命が 40 年を超える 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、小さい部品間スキューと 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。
UCC21732-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。