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線性與低壓差 (LDO) 穩壓器

TPS7H1111-SP

現行

抗輻射、QMLV 和 QMLP、1.5-A、超低雜訊高 PSRR 低壓降 (LDO) 穩壓器

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產品規格表

TPS7H1111-SP

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產品詳細資料

Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Rating Space Noise (µVrms) 1.7 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Iq (typ) (mA) 19 Thermal resistance θJA (°C/W) 25.1 Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Power good, Radiation hardened, Soft start Accuracy (%) 1.3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (krad) 100
Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Rating Space Noise (µVrms) 1.7 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Iq (typ) (mA) 19 Thermal resistance θJA (°C/W) 25.1 Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Power good, Radiation hardened, Soft start Accuracy (%) 1.3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (krad) 100
CFP (HBL) 14 73.20624 mm² 9.12 x 8.027 HTSSOP (PWP) 28 62.08 mm² 9.7 x 6.4
  • Total ionizing dose (TID) characterized
    • Radiation hardness assurance (RHA) availability of 100 krad(Si) or 50 krad(Si)
  • Single-Event Effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 75 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized up to LET = 75 MeV-cm2/mg
  • Ultra-low noise (10 Hz to 100 kHz):
    • 1.71 µVRMS (typ)
  • High power-supply rejection ratio, PSRR (typ):
    • 109 dB at 1 kHz
    • 71 dB at 100 kHz
    • 66 dB at 1 MHz
  • Input voltage range from 0.85 V to 7 V
  • Bias supply of 2.2 V to 14 V to minimize power dissipation
  • Output voltage as low as 0.4 V
  • Up to 1.5-A output current
  • Excellent output accuracy over line and load:
    • –1.3% to +1.2% across temperature
    • –0.7% to +0.9% at 25°C
  • Low-dropout: 215 mV (typ) at 1.5 A
  • Programmable soft-start control (SS_SET)
  • Open-drain power good (PG) indicator
  • Configurable power good threshold (FB_PG)
  • Exposed control loop with the external compensation STAB pin
  • Internal current limit with configurable behavior
  • Current sharing to allow operation of up to 2.9 A
  • Military temperature range (–55°C to 125°C)
  • Total ionizing dose (TID) characterized
    • Radiation hardness assurance (RHA) availability of 100 krad(Si) or 50 krad(Si)
  • Single-Event Effects (SEE) characterized
    • Single-event latchup (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune up to linear energy transfer (LET) = 75 MeV-cm2/mg
    • Single-event functional interrupt (SEFI) and single-event transient (SET) characterized up to LET = 75 MeV-cm2/mg
  • Ultra-low noise (10 Hz to 100 kHz):
    • 1.71 µVRMS (typ)
  • High power-supply rejection ratio, PSRR (typ):
    • 109 dB at 1 kHz
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  • Bias supply of 2.2 V to 14 V to minimize power dissipation
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    • –1.3% to +1.2% across temperature
    • –0.7% to +0.9% at 25°C
  • Low-dropout: 215 mV (typ) at 1.5 A
  • Programmable soft-start control (SS_SET)
  • Open-drain power good (PG) indicator
  • Configurable power good threshold (FB_PG)
  • Exposed control loop with the external compensation STAB pin
  • Internal current limit with configurable behavior
  • Current sharing to allow operation of up to 2.9 A
  • Military temperature range (–55°C to 125°C)

The TPS7H1111 is an ultra-low noise, high PSRR, low dropout linear regulator (LDO) optimized for powering radio-frequency (RF) devices in a space environment. It is capable of sourcing up to 1.5 A over a 0.85-V to 7-V input range with a 2.2-V to 14-V bias supply.

The high performance of the device limits power-supply generated phase noise and clock jitter, making this device ideal for powering high-performance ADCs, DACs, VCOs, PLLs, SerDes, and other RF components in satellites. For digital loads (such as FPGAs and DSPs) requiring low voltage operation, the exceptional accuracy and excellent transient performance ensure optimal system performance.

A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML variants, 5962R21203. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23602.

The TPS7H1111 is an ultra-low noise, high PSRR, low dropout linear regulator (LDO) optimized for powering radio-frequency (RF) devices in a space environment. It is capable of sourcing up to 1.5 A over a 0.85-V to 7-V input range with a 2.2-V to 14-V bias supply.

The high performance of the device limits power-supply generated phase noise and clock jitter, making this device ideal for powering high-performance ADCs, DACs, VCOs, PLLs, SerDes, and other RF components in satellites. For digital loads (such as FPGAs and DSPs) requiring low voltage operation, the exceptional accuracy and excellent transient performance ensure optimal system performance.

A standard microcircuit drawing (SMD) is available for the QML variants, 5962R21203. A vendor item drawing (VID) is available for the -SEP variant, V62/23602.
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設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

TPS7H1111EVM-CVAL — 具備超高 PSRR 且適用於 1.5-A 超低雜訊 RF LDO 穩壓器的 TPS7H1111-SP 評估模組

TPS7H1111EVM-CVAL 評估模組 (EVM) 是用於耐輻射 (RHA) TPS7H1111-SP 的工程展示板，是一款低壓降 (LDO) 線性穩壓器。

使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
模擬型號

TPS7H1111-SP PSpice Model

SLVME08.ZIP (55 KB) - PSpice Model
下載
計算工具

PARALLEL-LDO-CALC — Parallel low-dropout (LDO) calculator

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硬體開發
開發板
TPS7A57EVM-081 — 適用於 5-A 低雜訊高準確度低壓差 (LDO) 電壓穩壓器的 TPS7A57 評估模組
下載
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
CFP (HBL) 14 Ultra Librarian
HTSSOP (PWP) 28 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
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  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
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