TL074B

AKTIV

Vier-Kanal-JFET-Eingang-Operationsverstärker, 30 V, 3 MHz, hohe Flankensteilheit (13 V/µs), 3 mV Off

Eine neuere Version dieses Produkts ist verfügbar

Drop-In-Ersatz mit gegenüber dem verglichenen Baustein verbesserter Funktionalität
TL074H AKTIV In-to-V+-Vierfach-Operationsverstärker, 40 V, 5 MHz, 4-mV-Offsetspannung, 20 V/µs, Betriebstemperatu Wider temperature range (-40°C to 125°C), lower quiescent current (0.0937 mA), wider voltage range (4.5 V to 40 V), and improved offset voltage drift

Produktdetails

Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 30 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 3 Slew rate (typ) (V/µs) 13 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 1.4 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 37 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 18 Features Standard Amps Input bias current (max) (pA) 200 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5
Number of channels 4 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 30 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 3 Slew rate (typ) (V/µs) 13 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 3 Iq per channel (typ) (mA) 1.4 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 37 Rating Catalog Operating temperature range (°C) 0 to 70 Offset drift (typ) (µV/°C) 18 Features Standard Amps Input bias current (max) (pA) 200 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5
PDIP (N) 14 181.42 mm² 19.3 x 9.4 SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6
  • High slew rate: 20 V/µs (TL07xH, typ)
  • Low offset voltage: 1 mV (TL07xH, typ)
  • Low offset voltage drift: 2 µV/°C
  • Low power consumption: 940 µA/ch (TL07xH, typ)
  • Wide common-mode and differential voltage ranges
    • Common-mode input voltage range includes V CC+
  • Low input bias and offset currents
  • Low noise: V n = 18 nV/√ Hz (typ) at f = 1 kHz
  • Output short-circuit protection
  • Low total harmonic distortion: 0.003% (typ)
  • Wide supply voltage: ±2.25 V to ±20 V, 4.5 V to 40 V
  • High slew rate: 20 V/µs (TL07xH, typ)
  • Low offset voltage: 1 mV (TL07xH, typ)
  • Low offset voltage drift: 2 µV/°C
  • Low power consumption: 940 µA/ch (TL07xH, typ)
  • Wide common-mode and differential voltage ranges
    • Common-mode input voltage range includes V CC+
  • Low input bias and offset currents
  • Low noise: V n = 18 nV/√ Hz (typ) at f = 1 kHz
  • Output short-circuit protection
  • Low total harmonic distortion: 0.003% (typ)
  • Wide supply voltage: ±2.25 V to ±20 V, 4.5 V to 40 V

The TL07xH (TL071H, TL072H, and TL074H) family of devices are the next-generation versions of the industry-standard TL07x (TL071, TL072, and TL074) devices. These devices provide outstanding value for cost-sensitive applications, with features including low offset (1 mV, typical), high slew rate (20 V/µs), and common-mode input to the positive supply. High ESD (1.5 kV, HBM), integrated EMI and RF filters, and operation across the full –40°C to 125°C enable the TL07xH devices to be used in the most rugged and demanding applications.

The TL07xH (TL071H, TL072H, and TL074H) family of devices are the next-generation versions of the industry-standard TL07x (TL071, TL072, and TL074) devices. These devices provide outstanding value for cost-sensitive applications, with features including low offset (1 mV, typical), high slew rate (20 V/µs), and common-mode input to the positive supply. High ESD (1.5 kV, HBM), integrated EMI and RF filters, and operation across the full –40°C to 125°C enable the TL07xH devices to be used in the most rugged and demanding applications.

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Technische Dokumentation

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