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TXS0104E

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Conmutador de nivel de tensión bidireccional de 4 bits para aplicaciones en drenaje abierto e ins

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TXS0104E

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Detalles del producto

Technology family TXS Applications SPIO Bits (#) 4 Data rate (max) (Mbps) 24 High input voltage (min) (V) 1.45 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) 0 IOL (max) (mA) 0 Supply current (max) (µA) 10 Features Edge rate accelerator, Output enable, Vcc isolation Input type Transmission Gate Output type 3-State, Transmission Gate Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Technology family TXS Applications SPIO Bits (#) 4 Data rate (max) (Mbps) 24 High input voltage (min) (V) 1.45 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) 0 IOL (max) (mA) 0 Supply current (max) (µA) 10 Features Edge rate accelerator, Output enable, Vcc isolation Input type Transmission Gate Output type 3-State, Transmission Gate Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
DSBGA (YZT) 12 3.9375 mm² 2.25 x 1.75 NFBGA (NMN) 12 5 mm² 2 x 2.5 SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 UQFN (RUT) 12 3.4 mm² 2 x 1.7 VQFN (RGY) 14 12.25 mm² 3.5 x 3.5 WQFN (BQA) 14 7.5 mm² 3 x 2.5
  • No direction-control signal needed
  • Maximum data rates:
    • 24Mbps (push pull)
    • 2Mbps (open drain)
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ package
  • 1.65 V to 3.6 V on A port and 2.3 V to 5.5 V on B port (V CCA ≤ V CCB)
  • No power-supply sequencing required – V CCA or V CCB can be ramped first
  • Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22:
    • A port:
      • 2000-V Human-Body Model (A114-B)
      • 200-V Machine Model (A115-A)
      • 1000-V Charged-Device Model (C101)
    • B port:
      • 15-kV Human-Body Model (A114-B)
      • 200-V Machine Model (A115-A)
      • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • IEC 61000-4-2 ESD (B port):
    • ±8-kV contact discharge
    • ±10-kV air-gap discharge
  • No direction-control signal needed
  • Maximum data rates:
    • 24Mbps (push pull)
    • 2Mbps (open drain)
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ package
  • 1.65 V to 3.6 V on A port and 2.3 V to 5.5 V on B port (V CCA ≤ V CCB)
  • No power-supply sequencing required – V CCA or V CCB can be ramped first
  • Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22:
    • A port:
      • 2000-V Human-Body Model (A114-B)
      • 200-V Machine Model (A115-A)
      • 1000-V Charged-Device Model (C101)
    • B port:
      • 15-kV Human-Body Model (A114-B)
      • 200-V Machine Model (A115-A)
      • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • IEC 61000-4-2 ESD (B port):
    • ±8-kV contact discharge
    • ±10-kV air-gap discharge

This 4-bit non-inverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track V CCA. V CCA accepts any supply voltage from 1.65 V to 3.6 V. V CCA must be less than or equal to V CCB. The B port is designed to track V CCB. V CCB accepts any supply voltage from 2.3 V to 5.5 V. This allows for low-voltage bidirectional translation between any of the 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, and 5-V voltage nodes.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

The TXS0104E is designed so that the OE input circuit is supplied by V CCA.

For the high-impedance state during power up or power down, tie OE to GND through a pull-down resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.

This 4-bit non-inverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track V CCA. V CCA accepts any supply voltage from 1.65 V to 3.6 V. V CCA must be less than or equal to V CCB. The B port is designed to track V CCB. V CCB accepts any supply voltage from 2.3 V to 5.5 V. This allows for low-voltage bidirectional translation between any of the 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, and 5-V voltage nodes.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

The TXS0104E is designed so that the OE input circuit is supplied by V CCA.

For the high-impedance state during power up or power down, tie OE to GND through a pull-down resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sourcing capability of the driver.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet TXS0104E4-Bit Bidirectional Voltage-Level Translator forOpen-Drain and Push-Pull Applications datasheet (Rev. K) PDF | HTML 03 oct 2023
Application note Schematic Checklist - A Guide to Designing with Auto-Bidirectional Translators PDF | HTML 12 jul 2024
Application note Understanding Transient Drive Strength vs. DC Drive Strength in Level-Shifters (Rev. A) PDF | HTML 03 jul 2024
Application brief Integrated vs. Discrete Open Drain Level Translation PDF | HTML 09 ene 2024
Application note Leveraging Edge Rate Accelerators with Auto-Sensing Level Shifters PDF | HTML 29 sep 2023
Application brief Future-Proofing Your Level Shifter Design with TI's Dual Footprint Packages PDF | HTML 05 sep 2023
Application note Do’s and Don’ts for TXB and TXS Voltage Level-Shifters with Edge Rate Accelerato PDF | HTML 28 jun 2023
Application brief Enabling Next Generation Processors, FPGA, and ASSP with Voltage Level Translat PDF | HTML 17 ene 2023
Application brief Enabling Smart Solar Inverter Designs with Level Translation PDF | HTML 31 oct 2022
EVM User's guide TXS-EVM User's Guide (Rev. B) PDF | HTML 08 jun 2021
Selection guide Voltage Translation Buying Guide (Rev. A) 15 abr 2021
Application note Effects of pullup and pulldown resistors on TXS and TXB devices (Rev. A) 28 mar 2018
Application note A Guide to Voltage Translation With TXS-Type Translators 29 jun 2010

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

14-24-LOGIC-EVM — Módulo de evaluación genérico de productos lógicos para encapsulados D, DB, DGV, DW, DYY, NS y PW de

El módulo de evaluación 14-24-LOGIC-EVM (EVM) está diseñado para admitir cualquier dispositivo lógico que esté en un encapsulado D, DW, DB, NS, PW, DYY o DGV de 14 a 24 pines.

Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Placa de evaluación

14-24-NL-LOGIC-EVM — Módulo de evaluación genérico de productos lógicos para encapsulados sin conductores de 14 a 24 pine

14-24-NL-LOGIC-EVM es un módulo de evaluación (EVM) flexible diseñado para admitir cualquier dispositivo lógico o de traducción que tenga un encapsulado BQA, BQB, RGY, RSV, RJW o RHL de 14 a 24 pines.

Guía del usuario: PDF | HTML
No disponible en TI.com
Controlador o biblioteca

CC256XMS432BTBLESW — Pila Bluetooth de modo dual TI en MCU MSP432

TI’s Dual-mode Bluetooth stack on MSP432 MCUs software for Bluetooth + Bluetooth Low Energy enables the MSP432 MCU and is comprised of Single Mode and Dual-mode offerings implementing the Bluetooth 4.0 specification. The Bluetooth stack is fully qualified (QDID 69887 and QDID 69886), provides (...)
Guía del usuario: PDF
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Diseños de referencia

TIDA-00403 — Diseño de referencia de la medición de distancia ultrasónica mediante el uso del CÓDEC miniDSP TLV32

The TIDA-00403 reference design uses off-the-shelf EVMs for ultrasonic distance measurement solutions using algorithms within the TLV320AIC3268 miniDSP. In conjunction with TI’s PurePath Studio design suite, a robust and user configurable ultrasonic distance measurement system can be designed (...)
Design guide: PDF
Esquema: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
DSBGA (YZT) 12 Ultra Librarian
NFBGA (NMN) 12 Ultra Librarian
SOIC (D) 14 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
UQFN (RUT) 12 Ultra Librarian
VQFN (RGY) 14 Ultra Librarian
WQFN (BQA) 14 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

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