パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (DW) | 16 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 2,000 | LARGE T&R |
ISO5851-Q1 の特徴
- 車載アプリケーション用に認定済み
- 下記内容でAEC-Q100認定済み
- デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲 –40°C～125°C
- デバイスHBM分類レベル3A
- デバイスCDM分類レベルC6
- VCM = 1500Vでの最小同相過渡耐性(CMTI): 100kV/μs
- 2.5Aピーク・ソースおよび5Aピーク・シンク電流
- 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
110ns (最大値) - 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
- 出力短絡クランプ
- 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより、リセットはRSTにより通知
- 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
- 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
- 入力電源電圧: 3V～5.5V
- 出力ドライバ供給電圧: 15V～30V
- CMOS互換の入力
- 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
- 絶縁サージ耐久電圧: 12800VPK
- 安全性および規制の認定
- 8000VPK VIOTMおよび2121VPK VIORMDIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
- UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
- CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC 60950–1およびIEC 60601–1最終機器標準
- EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
- GB4943.1-2011 CQC認定
- UL、VDE、CQC、TUV準拠のすべての認定を完了、CSA認定は計画中
アプリケーション
- 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
- HEVおよびEVの電源モジュール
- 産業用モータ制御ドライブ
- 産業用電源
- ソーラー・インバータ
- 誘導加熱
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ISO5851-Q1 に関する概要
ISO5851-Q1は、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS、強化絶縁ゲート・ドライバで、2.5Aソースおよび5Aシンク電流を持ちます。入力側は、単一の3Vおよび5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。
内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過負荷状況にあることが認識されます。DESATを検出すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2ポテンシャルまでLOWに駆動され、IGBTはただちにオフになります。
不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。このFLT出力状況はラッチされ、RST入力のLOWアクティブのパルスによりリセットできます。
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バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることが防止されます。
不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。このFLT出力状況はラッチされ、RST入力のLOWアクティブのパルスによりリセットできます。
バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることが防止されます。
ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。
ISO5851-Q1は、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～125℃の周囲温度範囲について規定されています。