CSD25483F4
- Ultra-low on-resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- High operating drain current
- Ultra-small footprint (0402 case size)
- 1.0 mm × 0.6 mm
- Ultra-low profile
- Maximum height: 0.36-mm
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 210-mΩ, 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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기술 자료
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9개 모두 보기 유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | CSD25483F4 20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. F) | PDF | HTML | 2022/03/10 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024/06/14 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024/03/25 | |
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Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 2019/11/07 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016/07/07 |
설계 및 개발
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지원 소프트웨어
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패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.