CSD23280F3
- Low On-Resistance
- Ultra-Low Qg and Qgd
- High-operating drain current
- Ultra-small footprint
- 0.73 mm × 0.64 mm
- Ultra-low profile
- 0.36-mm max height
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
기술 자료
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11개 모두 보기 유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | CSD23280F3 –12-V P-Channel FemtoFET MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2021/09/08 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024/06/14 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024/03/25 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |
Application note | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023/12/14 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 2019/11/07 | ||
EVM User's guide | Ultra-Small Footprint P-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM | 2017/12/06 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016/07/07 | ||
Technical article | FemtoFET MOSFETs: small as sand but it’s all about that pitch | PDF | HTML | 2016/06/27 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
평가 보드
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-채널 평가 모듈
이 FemtoFET P-채널 EVM에는 6개의 도터 카드가 포함되어 있으며, 각 카드에는 다른 FemtoFET P-채널 부품 번호가 포함되어 있습니다. 도터 카드를 사용하면 엔지니어가 손쉽게 이러한 작은 디바이스를 연결하고 테스트할 수 있습니다. 12V~20V VDS의 6개 FemtoFET 범위는 디바이스가 F3(0.6x0.7mm), F4(0.6x1.0mm) 및 F5(0.8x1.5mm)입니다.
사용 설명서: PDF
지원 소프트웨어
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
레퍼런스 디자인
TIDA-01589 — 잡음 감소 및 음향 반향 제거를 지원하는 하이파이, 근거리 양방향 오디오 레퍼런스 설계
Man machine interaction requires an acoustic interface for providing full duplex hands-free communication. In hands-free mode, part of the far-end or near-end audio signal from the speaker is coupled to the microphones. Furthermore, in noisy environments the microphones also capture ambient noise (...)
레퍼런스 디자인
TIDA-01228 — 인덕티브 센서를 통한 저전력 수도 측정 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 CC1350 SimpleLink™ 무선 MCU 및 FemtoFET™ MOSFET을 지원하는 유도성 센서 기술을 사용하여 이 애플리케이션을 위한 고집적 솔루션을 보여줍니다. 또한 이 레퍼런스 설계는 무선 M-Bus, Sigfox™ 또는 독점 프로토콜과 같은 무선 통신 통합을 위한 플랫폼을 제공합니다. 자동 계량기 판독(AMR) 기능을 추가하려는 수도 유틸리티 공급자는 기존 계량기를 모두 교체하거나 유량을 정확하게 측정하고 결과를 무선으로 전송하는 간단한 전자식 애드온 모듈을 설치해야 하는 선택에 직면합니다. (...)
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.