CSD25480F3
- Low on-resistance
- Ultra-low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint
- 0.73 mm × 0.64 mm
- Low profile
- 0.36-mm max height
- Integrated ESD protection diode
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This –20-V, 110-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
기술 자료
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평가 보드
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P-채널 평가 모듈
이 FemtoFET P-채널 EVM에는 6개의 도터 카드가 포함되어 있으며, 각 카드에는 다른 FemtoFET P-채널 부품 번호가 포함되어 있습니다. 도터 카드를 사용하면 엔지니어가 손쉽게 이러한 작은 디바이스를 연결하고 테스트할 수 있습니다. 12V~20V VDS의 6개 FemtoFET 범위는 디바이스가 F3(0.6x0.7mm), F4(0.6x1.0mm) 및 F5(0.8x1.5mm)입니다.
사용 설명서: PDF
지원 소프트웨어
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
레퍼런스 디자인
TIDA-050039 — 리튬 이온 배터리를 위한 단일 셀 태양광 패널의 에너지 하베스팅 레퍼런스 설계
The TIDA-050039 reference design demonstrates how to use a fully-integrated synchronous boost converter TPS61089 in combination with a single-cell solar panel to charge a li-ion battery. An additional maximum power-point (MPP) sampling network is implemented to dynamically control the input (...)
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
---|---|---|
PICOSTAR (YJM) | 3 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.