CSD16570Q5B
- Extremely Low Resistance
- Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.
기술 자료
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
8개 모두 보기 유형 | 직함 | 날짜 | ||
---|---|---|---|---|
* | Data sheet | CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2017/05/19 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024/06/14 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024/03/25 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |
Application note | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023/12/06 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |
Application note | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011/11/16 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
지원 소프트웨어
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원 소프트웨어
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
MOSFET
계산 툴
FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool
Excel based FET SOA calculation and selection tool
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
MOSFET
계산 툴
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
MOSFET
레퍼런스 디자인
PMP41081 — C2000™ 실시간 마이크로컨트롤러를 사용하는 1kW, 12V HHC LLC 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 F280039C 마이크로컨트롤러를 이용해 하이브리드 히스테리시스 제어(HHC)의 부하 과도 성능을 평가하는 데 사용되는 1kW, 400V~12V 하프 브리지 공진 DC/DC 플랫폼입니다. HHC는 DFC(직접 주파수 제어) 및 전하 제어를 결합하는 방법이며, 추가된 주파수 보상 램프로 전하 제어를 제어합니다. 추가 내부 루프를 통해 HHC는 인덕터-인덕터 커패시터(LLC) 단계의 부하 과도 응답 성능을 개선할 수 있습니다.
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
PMP40586 — 1kW 디지털 제어 전류 모드 LLC 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 12V~54V 출력을 지원하는 서버 PSU 애플리케이션을 대상으로 하는 업계 최초의 디지털 하이브리드 히스테리시스 제어(HHC) 솔루션입니다. 이 레퍼런스 설계는 400V~12V 1kW LLC 전력단에서 UCD3138의 HHC 제어 이점을 보여줍니다. 이 설계는 8kHz 피크 루프 대역폭을 달성합니다. 2.5A/us의 0% 및 100% 부하 변환에서 500mV 미만의 피크-피크 편차를 유지하고, 2.5A/us의 0% 및 150% 부하 변환에서 800mV 미만의 피크-피크 편차를 유지합니다.
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
PMP23126 — 전력 밀도가 270W/in33kW를 초과하는 액티브 클램프 레퍼런스 설계를 반영한 3kW 위상 전환 풀 브리지
이 레퍼런스 설계는 최대 전력 밀도를 목표로 하는 GaN 기반 3kW PSFB(위상 이동 풀 브리지)입니다. 이 설계에는 보조 동기식 정류기 MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 액티브 클램프가 있으며 그에 따라 더 우수한 FOM(figure-of-merit)과 더 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP23126은 기본 측에서 TI의 30mΩ GaN을 사용하고 보조 측에서 실리콘 MOSFET를 사용합니다. LMG3522 상단 측 냉각d GaN과 일체형 드라이버 및 보호 기능이 Si MOSFET와 (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
TIDA-010087 — 100A 듀얼 위상 디지털 제어 배터리 테스터 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 C2000™ MCU(마이크로컨트롤러) 및 정밀 ADC ADS131M08을 사용하여 양방향 인터리브 벅 컨버터 전력계의 전류 및 전압을 정확하게 제어하는 방법을 보여줍니다. 이 설계는 C2000 MCU의 고해상도 펄스 폭 변조(PWM) 생성 주변 장치를 활용하여 ±20mA 전류 조정 오차 및 ±1mV 전압 조정 오차를 달성합니다.
Design guide: PDF
레퍼런스 디자인
PMP40182 — 양방향 배터리 초기화 시스템 전원 보드 레퍼런스 디자인
This reference design is a battery initialization reference design solution for automotive and battery applications. The module enables a high efficiency single stage conversion for charging and discharging the battery. This design features a 0.1% accurate current control loop using the high (...)
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
---|---|---|
VSON-CLIP (DNK) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.