CSD87313DMS
- Low-Source-to-Source On Resistance
- Dual Common Drain N-Channel MOSFETs
- Optimized for 5-V Gate Drive
- Low Qg and Qgd
- Low-Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Lead-Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
The CSD87313DMS is a 30-V common drain, dual N-channel device designed for USB Type-C/PD and battery protection. This SON 3.3-mm × 3.3-mm device has low-source-to-source on resistance that minimizes losses and offers low-component count for space constrained applications.
기술 자료
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7개 모두 보기 유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | CSD87313DMS 30-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet | PDF | HTML | 2017/04/06 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024/06/14 | |
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Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
지원 소프트웨어
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
계산 툴
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
MOSFET
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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WSON-CLIP (DMS) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.