CSD85302L
- Common Drain Configuration
- Low On-Resistance
- Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
- Pb Free and Halogen Free
- RoHS Compliant
- ESD HBM Protection >2.5 kV
This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.
기술 자료
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9개 모두 보기 유형 | 직함 | 날짜 | ||
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More literature | WCSP Handling Guide | 2019/11/07 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016/07/07 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
지원 소프트웨어
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
계산 툴
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
MOSFET
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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PICOSTAR (YME) | 4 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.