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CSD17306Q5A

활성

30V, N 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 SON 5mm x 6mm, 4.2mΩ

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CSD17581Q5A 활성 30V, N 채널 NexFET™ 전원 MOSFET, 싱글 SON 5mm x 6mm, 4.2mΩ This product has similar resistance and a lower price.

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제품 상세 정보

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 4.2 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.8 QGD (typ) (nC) 2.4 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 4.2 VGSTH typ (typ) (V) 1.1 QG (typ) (nC) 11.8 QGD (typ) (nC) 2.4 QGS (typ) (nC) 3.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 100 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
  • Optimized for 5V Gate Drive
  • Ultralow Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Notebook Point of Load
    • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
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주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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