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TPD4E05U06 활성 USB, HDMI 및 고속 인터페이스를 위한 쿼드 0.5pF, 5.5V, ±12kV ESD 보호 다이오드 Lower capacitance and clamping voltage intended for use on high speed data lines

제품 상세 정보

Package name USON Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 25 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 20 Dynamic resistance (typ) 1.1 Interface type Ethernet, HDMI 1.4/1.3, LVDS, SATA/PCIe, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 9 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Package name USON Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 25 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 0.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 20 Dynamic resistance (typ) 1.1 Interface type Ethernet, HDMI 1.4/1.3, LVDS, SATA/PCIe, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 9 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
USON (DQA) 10 2.5 mm² 2.5 x 1
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
    • ±8-kV Contact Discharge
  • IEC 61000-4-5 Surge Protection
    • 2.5A (8/20µs)
  • I/O Capacitance: 0.8 pF (Typical)
  • Low Leakage Current: 10 nA (Typical)
  • Supports High-Speed Differential Data Rates
    (3-dB Bandwidth > 4 GHz)
  • Ultra-low Matching Capacitance Between
    Differential Signal Pairs
  • Ioff Feature for the TPD4S009
  • Industrial Temperature Range:
    –40°C to 85°C
  • Easy Straight through Routing, Space-Saving
    Package Options
  • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Protection
    • ±8-kV Contact Discharge
  • IEC 61000-4-5 Surge Protection
    • 2.5A (8/20µs)
  • I/O Capacitance: 0.8 pF (Typical)
  • Low Leakage Current: 10 nA (Typical)
  • Supports High-Speed Differential Data Rates
    (3-dB Bandwidth > 4 GHz)
  • Ultra-low Matching Capacitance Between
    Differential Signal Pairs
  • Ioff Feature for the TPD4S009
  • Industrial Temperature Range:
    –40°C to 85°C
  • Easy Straight through Routing, Space-Saving
    Package Options

The TPD4S009 and TPD4S010 are four-channel TVS diode arrays for electrostatic discharge (ESD) protection. TPD4S009 and TPD4S010 are rated to dissipate contact ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4), with ±8-kV contact discharge ESD protection. The low capacitance (0.8-pF) of these devices, coupled with the excellent matching between differential signal pairs (0.05-pF line-line capacitance for the TPD4S009DRY) enables this device to provide transient voltage suppression circuit protection for high-speed differential data rates (3-dB bandwidth > 4 GHz).

The TPD4S009 is offered in DBV, DCK, DGS, and DRY packages. The TPD4S009DRYR is the most space saving package option available for dual pair high-speed differential lines. The TPD4S010 is offered in the industry standard DQA package. The TPD4S009DGSR and TPD4S010DQAR offer flow-through board layout options to reduce signal glitches normally caused by routing mismatches between the D+ and D– signal pair. See also TPD4E05U06DQAR which is P2P compatible with TPD4S010DQAR. This device offers higher IEC ESD protection, lower capacitance, lower RDYN, lower DC breakdown voltage, and lower clamping voltage.

The TPD4S009 and TPD4S010 are four-channel TVS diode arrays for electrostatic discharge (ESD) protection. TPD4S009 and TPD4S010 are rated to dissipate contact ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4), with ±8-kV contact discharge ESD protection. The low capacitance (0.8-pF) of these devices, coupled with the excellent matching between differential signal pairs (0.05-pF line-line capacitance for the TPD4S009DRY) enables this device to provide transient voltage suppression circuit protection for high-speed differential data rates (3-dB bandwidth > 4 GHz).

The TPD4S009 is offered in DBV, DCK, DGS, and DRY packages. The TPD4S009DRYR is the most space saving package option available for dual pair high-speed differential lines. The TPD4S010 is offered in the industry standard DQA package. The TPD4S009DGSR and TPD4S010DQAR offer flow-through board layout options to reduce signal glitches normally caused by routing mismatches between the D+ and D– signal pair. See also TPD4E05U06DQAR which is P2P compatible with TPD4S010DQAR. This device offers higher IEC ESD protection, lower capacitance, lower RDYN, lower DC breakdown voltage, and lower clamping voltage.

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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet TPD4S009 4-Channel ESD Solution for High-Speed Differential Interface datasheet (Rev. G) PDF | HTML 2015/06/26
User guide Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) PDF | HTML 2023/09/19
Selection guide System-Level ESD Protection Guide (Rev. D) 2022/09/07
Application note ESD Protection Layout Guide (Rev. A) PDF | HTML 2022/04/07
White paper Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 2016/02/10
Analog Design Journal Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection 2012/09/25

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

DRV8353RH-EVM — DRV8353RH 3상 스마트 게이트 드라이버 평가 모듈

The DRV8353RH-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RH gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

사용 설명서: PDF
평가 보드

DRV8353RS-EVM — DRV8353RS 3상 스마트 게이트 드라이버 평가 모듈

The DRV8353RS-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8353RS gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ MOSFETs.

The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as individual low-side current shunt amplifiers, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC (...)

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

ESDEVM — ESD 평가 모듈

ESD(정전기에 민감한 장치) EVM(평가 모듈)은 대부분의 ESD 포트폴리오를 위한 개발 플랫폼입니다. 이 보드에는 디바이스의 수를 테스트할 수 있도록 기존의 모든 ESD 풋프린트가 함께 제공됩니다. 장치를 적절한 풋프린트에 납땜한 후 테스트할 수 있습니다. 일반적인 고속 ESD 다이오드의 경우 S 매개 변수를 받고 보드 트레이스를 임베드하기 위해 임피던스 제어 레이아웃이 구현되어 있습니다. 비 고속 ESD 다이오드의 경우 고장 전압, 유지 전압, 누설 등의 DC 테스트를 쉽게 실행할 수 있도록 테스트 지점으로 가는 트레이스가 (...)
사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
USON (DQA) 10 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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