UCC27311A
- Drives two N-channel MOSFETs in half-bridge configuration
- –40°C to +150°C junction temperature range
- 120V abs max voltage on HB pin
- 3.7A sink, 4.5A source output currents
- 8V to 17V VDD operating range (20V abs max) with UVLO
- –(28–VDD)V abs max negative transient tolerance on HS pin (<100ns pulse)
- –10V to +20V abs max input pins tolerance, independent of supply voltage range (TTL compatible)
- Switching parameters:
- 20ns typical propagation delay times
- 7.2ns rise and 5.5ns fall time with 1000pF load
- 4ns typical delay matching
- Integrated bootstrap diode
- Enable/disable functionality with low current consumption (3µA typical) when disabled
The UCC27311A is a robust gate driver designed to drive two N-channel MOSFETs in a half-bridge or synchronous buck configuration with an absolute maximum bootstrap voltage of 120V. Its 3.7A peak source and 4.5A peak sink current capability allows the UCC27311A to drive large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the Miller Plateau. The switching node (HS pin) can handle negative transient voltage, which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused by parasitic inductance and stray capacitance.
The inputs are independent of supply voltage and are able to withstand -10V and +20V absolute maximum ratings. The low-side and high-side gate drivers are matched to 4ns between the turn on and turn off of each other and are controlled throught the LI and HI input pins respectively. An on-chip 120V rated bootstrap diode eliminates the need to add discrete bootstrap diodes. Undervoltage lockout (UVLO) is provided for both the high-side and the low-side drivers which provides symmetric turn on and turn off behavior and forces the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.
기술 자료
설계 및 개발
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주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.