전원 관리 게이트 드라이버 하프 브리지 드라이버

UCC27201A-Q1

활성

8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 오토모티브 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버

제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -15 Features Negative voltage handling TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -15 Features Negative voltage handling TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DMK) 10 16 mm² 4 x 4
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
  • –40°C to +150°C junction temperature range
  • Negative voltage handling on HS: -18V
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side/low-side configuration
  • Maximum boot voltage: 120V
  • Maximum VDD voltage: 20V
  • On-chip 0.65V VF, 0.65Ω RD bootstrap diode
  • 22ns propagation delay times
  • 3A sink, 3A source output currents
  • 8ns rise and 7ns fall time with 1000pF load
  • 1ns delay matching
  • Undervoltage lockout for high-side and low-side driver
  • Offered in 8-pin PowerPad™ SOIC-8 (DDA)
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
  • –40°C to +150°C junction temperature range
  • Negative voltage handling on HS: -18V
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side/low-side configuration
  • Maximum boot voltage: 120V
  • Maximum VDD voltage: 20V
  • On-chip 0.65V VF, 0.65Ω RD bootstrap diode
  • 22ns propagation delay times
  • 3A sink, 3A source output currents
  • 8ns rise and 7ns fall time with 1000pF load
  • 1ns delay matching
  • Undervoltage lockout for high-side and low-side driver
  • Offered in 8-pin PowerPad™ SOIC-8 (DDA)

The UCC27201A-Q1 high frequency N-Channel MOSFET driver includes a 120V bootstrap diode and high-side/low-side driver with independent inputs for maximum control flexibility. This allows for N-Channel MOSFET control in half-bridge, full-bridge, two-switch forward and active clamp forward converters. The low-side and the high-side gate drivers are independently controlled and matched to 1ns between the turn-on and turn-off of each other. In order to improve performance in noisy power supply environments the UCC27201A-Q1 has the ability to withstand an absolute maximum of -18V on its HS pin.

An on-chip bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Under-voltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.

The UCC27201A-Q1 has TTL-compatible thresholds and is offered in an 8-pin SOIC with a thermal pad.

The UCC27201A-Q1 high frequency N-Channel MOSFET driver includes a 120V bootstrap diode and high-side/low-side driver with independent inputs for maximum control flexibility. This allows for N-Channel MOSFET control in half-bridge, full-bridge, two-switch forward and active clamp forward converters. The low-side and the high-side gate drivers are independently controlled and matched to 1ns between the turn-on and turn-off of each other. In order to improve performance in noisy power supply environments the UCC27201A-Q1 has the ability to withstand an absolute maximum of -18V on its HS pin.

An on-chip bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Under-voltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers forcing the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.

The UCC27201A-Q1 has TTL-compatible thresholds and is offered in an 8-pin SOIC with a thermal pad.

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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

시뮬레이션 모델

UCC27201 and UCC27201A PSpice Transient Model (Rev. B)

SLUM096B.ZIP (74 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 모델

UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)

SLUM114A.TSC (193 KB) - TINA-TI Reference Design
시뮬레이션 모델

UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SLUM113A.ZIP (30 KB) - TINA-TI Spice Model
계산 툴

SLURB12 UCC272xx Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어

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제품
하프 브리지 드라이버
UCC27200 8V UVLO 및 CMOS 입력을 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27200-Q1 8V UVLO 및 CMOS 입력을 지원하는 차량용 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27200A 8V UVLO, 음극 전압 처리 및 CMOS 입력을 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27201 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27201A 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27201A-DIE 120V 부트, 3A 피크, 고주파수, 고압측/저압측 드라이버 UCC27201A-Q1 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 오토모티브 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27210 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버(8V UVLO 및 CMOS 입력 지원) UCC27211 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27211A 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27211A-Q1 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 오토모티브 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27212 5V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27212A-Q1 5V UVLO를 지원하는 오토모티브, 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27282 5V UVLO, 인터로크 및 활성화를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 드라이버 UCC27282-Q1 5V UVLO, 인터로크 및 활성화를 지원하는 오토모티브 3A, 120V 하프브리지 드라이버 UCC27284 5V UVLO 및 활성화를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27284-Q1 5V UVLO를 지원하는 오토모티브, 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27288 8V UVLO를 지원하고 내부 부트스트랩 다이오드가 없는 2.5A~3.5A 120V 하프 브리지 드라이버 UCC27289 8V UVLO 및 활성화를 지원하는 2.5A~3.5A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버
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Design guide: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
VSON (DMK) 10 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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