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UCC27211A-Q1
- AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications: Device Temperature Grade 1
- –40°C to +150°C junction temperature range
- Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs
- Maximum boot voltage 120V DC
- 3.7A source, 4.5A sink output currents
- Input pins can tolerate –10V to +20V and are independent of supply voltage range
- TTL compatible inputs
- 8V to 17V VDD operating range, (20V ABS MAX)
- 7.2ns rise and 5.5ns fall time with 1000pF load
- Fast propagation delay times (20ns typical)
- 4ns delay matching
- Symmetrical undervoltage lockout for high-side and low-side driver
- Available in the industry standard SO-PowerPAD SOIC-8 package
The UCC27211A-Q1 device driver is based on the popular UCC27201 MOSFET drivers; but, this device offers several significant performance improvements.
The peak output pullup and pulldown current has been increased to 3.7A source and 4.5A sink and thereby allows for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the Miller Plateau of the MOSFET. The input structure can directly handle –10VDC, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a 20V maximum rating.
The switching node of the UCC27211A-Q1 (HS pin) can handle –(24 - VDD) V maximum, which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused by parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27211A-Q1 (TTL inputs) has increased hysteresis that allows for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity.
The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 4ns between the turn on and turn off of each other. An on-chip 120V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers which provides symmetric turn on and turn off behavior and forces the outputs low if the drive voltage is below the specified threshold.
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기술 자료
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6개 모두 보기 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | UCC27211A -Q1 Automotive 120V, 3.7A/4.5A Half-Bridge Driver with 8V UVLO datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2024/07/18 |
| Functional safety information | UCC27211A-Q1 and UCC27212A-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. A) | PDF | HTML | 2024/10/03 | |
| Application note | Understanding and comparing peak current capability of gate drivers | PDF | HTML | 2021/03/30 | |
| Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
| Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 2020/02/28 | ||
| More literature | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018/10/29 |
설계 및 개발
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시뮬레이션 모델
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시뮬레이션 툴
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| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| HSOIC (DDA) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.