전원 관리 게이트 드라이버 하프 브리지 드라이버

UCC27212A-Q1

활성

5V UVLO를 지원하는 오토모티브, 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버

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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
UCC27282-Q1 활성 5V UVLO, 인터로크 및 활성화를 지원하는 오토모티브 3A, 120V 하프브리지 드라이버 This is a newer half-bridge driver with cross conduction protection

제품 상세 정보

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
  • –40°C to +150°C junction temperature range
  • 5V turn-off Under Voltage Lockout (UVLO)
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs
  • Maximum boot voltage 120V DC
  • 3.7A source, 4.5A sink output currents
  • Input pins can tolerate –10V to +20V and are independent of supply voltage range
  • TTL compatible Inputs
  • 7V to 17V VDD operating range, (20V ABS maximum)
  • 7.2ns rise and 5.5ns fall time with 1000pF load
  • Fast propagation delay times (20ns typical)
  • 4ns typical delay matching
  • Available in the SOIC8 (PowerPAD) package
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications: device temperature grade 1
  • –40°C to +150°C junction temperature range
  • 5V turn-off Under Voltage Lockout (UVLO)
  • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs
  • Maximum boot voltage 120V DC
  • 3.7A source, 4.5A sink output currents
  • Input pins can tolerate –10V to +20V and are independent of supply voltage range
  • TTL compatible Inputs
  • 7V to 17V VDD operating range, (20V ABS maximum)
  • 7.2ns rise and 5.5ns fall time with 1000pF load
  • Fast propagation delay times (20ns typical)
  • 4ns typical delay matching
  • Available in the SOIC8 (PowerPAD) package

The UCC27212A-Q1 device driver is based on the popular UCC27211 MOSFET drivers. In addition, UCC27212A-Q1 offers extended operating range all the way down to 5V which helps lower power losses.

The peak output pullup and pulldown current is 3.7A source and 4.5A sink. This allows for the ability to drive large power MOSFETs with minimized switching losses during the e Miller Plateau of the MOSFET.

The input structure can directly handle –10V, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a 20V maximum rating.

The switching node of the UCC27212A-Q1 (HS pin) can handle –(24V – VDD) maximum, which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused by parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27212A-Q1 has increased hysteresis that allows for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity. The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to ns between the turn on and turn off of each other. An on-chip 120V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers which provides symmetric turn on and turn off behavior and forces the outputs low drive voltage is below the specified threshold.

The UCC27212A-Q1 device driver is based on the popular UCC27211 MOSFET drivers. In addition, UCC27212A-Q1 offers extended operating range all the way down to 5V which helps lower power losses.

The peak output pullup and pulldown current is 3.7A source and 4.5A sink. This allows for the ability to drive large power MOSFETs with minimized switching losses during the e Miller Plateau of the MOSFET.

The input structure can directly handle –10V, which increases robustness and also allows direct interface to gate-drive transformers without using rectification diodes. The inputs are also independent of supply voltage and have a 20V maximum rating.

The switching node of the UCC27212A-Q1 (HS pin) can handle –(24V – VDD) maximum, which allows the high-side channel to be protected from inherent negative voltages caused by parasitic inductance and stray capacitance. The UCC27212A-Q1 has increased hysteresis that allows for interface to analog or digital PWM controllers with enhanced noise immunity. The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to ns between the turn on and turn off of each other. An on-chip 120V rated bootstrap diode eliminates the external discrete diodes. Undervoltage lockout is provided for both the high-side and the low-side drivers which provides symmetric turn on and turn off behavior and forces the outputs low drive voltage is below the specified threshold.

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* Data sheet UCC27212A-Q1 Automotive 120V, 3.7A/4.5A Half-Bridge Driver with 5V UVLO datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2024/07/17
Functional safety information UCC27211A-Q1 and UCC27212A-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. A) PDF | HTML 2024/10/03
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설계 및 개발

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평가 보드

UCC27212EVM-328 — 전력계가 있는 UCC27212 평가 모듈

UCC272XXEVM-328 is designed for evaluating UCC27212DPR, which is a half bridge gate driver with 3.7-A source and 4.5-A sink peak current capability. This EVM could be served to evaluate the driver IC against its datsheet. The EVM can also be used as Driver IC component selection guide.

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

UCC27212 PSpice Transient Model

SLUM588.ZIP (39 KB) - PSpice Model
시뮬레이션 모델

UCC27212 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM587.ZIP (1 KB) - PSpice Model
계산 툴

SLURB12 UCC272xx Schematic Review Template

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
하프 브리지 드라이버
UCC27200 8V UVLO 및 CMOS 입력을 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27200-Q1 8V UVLO 및 CMOS 입력을 지원하는 차량용 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27200A 8V UVLO, 음극 전압 처리 및 CMOS 입력을 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27201 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27201A 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27201A-DIE 120V 부트, 3A 피크, 고주파수, 고압측/저압측 드라이버 UCC27201A-Q1 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 오토모티브 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27210 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버(8V UVLO 및 CMOS 입력 지원) UCC27211 8V UVLO 및 TTL 입력을 지원하는 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27211A 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27211A-Q1 8V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 오토모티브 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27212 5V UVLO 및 음극 전압 처리를 지원하는 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27212A-Q1 5V UVLO를 지원하는 오토모티브, 4A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27282 5V UVLO, 인터로크 및 활성화를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 드라이버 UCC27282-Q1 5V UVLO, 인터로크 및 활성화를 지원하는 오토모티브 3A, 120V 하프브리지 드라이버 UCC27284 5V UVLO 및 활성화를 지원하는 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27284-Q1 5V UVLO를 지원하는 오토모티브, 3A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버 UCC27288 8V UVLO를 지원하고 내부 부트스트랩 다이오드가 없는 2.5A~3.5A 120V 하프 브리지 드라이버 UCC27289 8V UVLO 및 활성화를 지원하는 2.5A~3.5A, 120V 하프 브리지 게이트 드라이버
시뮬레이션 툴

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Design guide: PDF
회로도: PDF
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Test report: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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