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LM5101B

ACTIVO

Controlador de puerta de medio puente de 2 A y 100 V con UVLO de 8 V y entradas TTL

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LM5101B

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Detalles del producto

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFETs
  • Independent High- and Low-Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 118 V DC
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall
    Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3-ns
    Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100/HIP2101
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel
    MOSFETs
  • Independent High- and Low-Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 118 V DC
  • Fast Propagation Times (25-ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall
    Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3-ns
    Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100/HIP2101

The LM5100A/B/C and LM5101A/B/C high-voltage gate drivers are designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100 V. The A versions provide a full 3-A of gate drive, while the B and C versions provide 2 A and 1 A, respectively. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100A/B/C) or TTL input thresholds (LM5101A/B/C).

An integrated high-voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. These devices are available in the standard SOIC-8 pin, SO PowerPAD-8 pin, and the WSON-10 pin packages. The LM5100C and LM5101C are also available in MSOP-PowerPAD-8 package. The LM5101A is also available in WSON-8 pin package.

The LM5100A/B/C and LM5101A/B/C high-voltage gate drivers are designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of operating with supply voltages up to 100 V. The A versions provide a full 3-A of gate drive, while the B and C versions provide 2 A and 1 A, respectively. The outputs are independently controlled with CMOS input thresholds (LM5100A/B/C) or TTL input thresholds (LM5101A/B/C).

An integrated high-voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. These devices are available in the standard SOIC-8 pin, SO PowerPAD-8 pin, and the WSON-10 pin packages. The LM5100C and LM5101C are also available in MSOP-PowerPAD-8 package. The LM5101A is also available in WSON-8 pin package.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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Modelo de simulación

LM5101B PSpice Transient Model

SNOM365.ZIP (77 KB) - PSpice Model
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SNOM357.TSC (780 KB) - TINA-TI Reference Design
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Modelo de simulación

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Design guide: PDF
Esquema: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
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  • Lugar de ensamblaje

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