LM5109B
Controlador de puerta de medio puente de 1 A y 100 V con UVLO de 8 V y alta inmunidad al ruido
LM5109B
- Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET
- 1-A Peak Output Current (1.0-A Sink and 1.0-A Source)
- Inputs Compatible With Independent TTL and CMOS
- Bootstrap Supply Voltage to 108-V DC
- Fast Propagation Times (30 ns Typical)
- Drives 1000-pF Load With 15-ns Rise and Fall Times
- Excellent Propagation Delay Matching (2 ns Typical)
- Supply Rail Undervoltage Lockout
- Low Power Consumption
- 8-Pin SOIC and Thermally-Enhanced 8-Pin WSON Package
The LM5109B device is a cost-effective, high-voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with cost-effective TTL and CMOS-compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the 8-pin SOIC and thermally-enhanced 8-pin WSON packages.
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Documentación técnica
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Diseño y desarrollo
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Encapsulado | Pines | Símbolos CAD, huellas y modelos 3D |
---|---|---|
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
WSON (NGT) | 8 | Ultra Librarian |
Pedidos y calidad
- RoHS
- REACH
- Marcado del dispositivo
- Acabado de plomo/material de la bola
- Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
- Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
- Contenido del material
- Resumen de calificaciones
- Monitoreo continuo de confiabilidad
- Lugar de fabricación
- Lugar de ensamblaje
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