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LM25101

ACTIVO

Controlador de puerta de medio puente de 3 A, 2 A o 1 A con UVLO de 8 V y entradas TTL

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LM25101

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Detalles del producto

Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.022 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 8 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 100 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.022 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 8 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Noninverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² 3 x 4.9 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4 WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • Independent High and Low Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 100-V DC
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFETs
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100 and HIP2101
  • Independent High and Low Driver Logic Inputs
  • Bootstrap Supply Voltage up to 100-V DC
  • Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFETs
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Drives 1000-pF Load With 8-ns Rise and Fall Times
  • Excellent Propagation Delay Matching (3 ns Typical)
  • Supply Rail Undervoltage Lockout
  • Low Power Consumption
  • Pin Compatible With HIP2100 and HIP2101

The LM25101 high-voltage gate driver is designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The A version provides a full 3-A of gate drive while the B and C versions provide 2-A and 1-A, respectively. The outputs are independently controlled with TTL input thresholds. An integrated high voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails.

These devices are available in the standard 8-pin SOIC, 8-pin SO-PowerPAD, 8-pin WSON, 10-pin WSON, and 8-pin MSOP PowerPAD packages.

The LM25101 high-voltage gate driver is designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half-bridge configuration. The A version provides a full 3-A of gate drive while the B and C versions provide 2-A and 1-A, respectively. The outputs are independently controlled with TTL input thresholds. An integrated high voltage diode is provided to charge the high-side gate drive bootstrap capacitor. A robust level shifter operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control logic to the high-side gate driver. Undervoltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails.

These devices are available in the standard 8-pin SOIC, 8-pin SO-PowerPAD, 8-pin WSON, 10-pin WSON, and 8-pin MSOP PowerPAD packages.
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Documentación técnica

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Diseño y desarrollo

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Herramienta de cálculo

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Productos y hardware compatibles

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HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (DPR) 10 Ultra Librarian
WSON (NGT) 8 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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