パッケージ情報
パッケージ | ピン数 VQFN (RGE) | 24 |
動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
パッケージ数量 | キャリア 3,000 | LARGE T&R |
LM74930-Q1 の特徴
- 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
- デバイス温度グレード 1: 動作時周囲温度範囲:-40℃~+125℃
- 4V~65V の入力範囲
- 最低 –65V までの逆入力保護
- 共通ソース構成で外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
- アノードからカソードへ 10.5mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作
- 高速 DGATE ターンオフ応答 (0.5µs) の低逆電流検出スレッショルド (-10.5mV)
- 18mA のピーク・ゲート (DGATE) ターンオン電流
- 2.6A のピーク DGATE ターンオフ電流
- 可変過電流および短絡保護
- 精度 10% (IMON) のアナログ電流モニタ出力
- 可変過電圧および低電圧保護
- 低シャットダウン電流 (EN = Low):2.5µA
- MODE ピンにより双方向電流フローが可能 (MODE = Low)
- 適切な TVS ダイオードにより車載用 ISO7637 過渡要件に適合
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省スペースの 24 ピン VQFN パッケージで供給
LM74930-Q1 に関する概要
LM74930-Q1 理想ダイオード・コントローラは外付けのバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動および制御して、理想ダイオード整流器および過電流および過電圧保護を備えた電力パスの ON/OFF 制御をエミュレートします。入力電源電圧範囲が 4V~65V と広いため、12V および 24V 車載用バッテリ駆動 ECU を保護および制御できます。このデバイスは最低 –65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵のハイサイド・ゲート制御 (HGATE) により、電力パスの 1 番目の MOSFET が駆動されます。このデバイスを使用すると、HGATE 制御を使用した過電流、過電圧および低電圧イベントの場合に負荷を切断 (ON/OFF 制御) する一方、理想ダイオード・コントローラ (DGATE) が 2 番目の MOSFET を駆動して、出力から入力への逆電流をブロックすることで、入力逆極性保護および出力電圧ホールドアップ用のショットキー・ダイオードを置き換えます。このデバイスには電流センス・アンプが内蔵されており、サーキット・ブレーカ機能による可変過電流および短絡保護を実現します。このデバイスには、電源過渡から保護するための可変過電圧および低電圧保護機能があります。LM74930-Q1 には MODE ピンがあり、逆電流ブロック機能を選択的にイネーブルまたはディセーブルする場合に使用できます。