계산 툴
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
데이터 시트
LMG3522R030
- 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
- Integrated high precision gate bias voltage
- 200V/ns FET hold-off
- 2MHz switching frequency
- 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
- Operates from 7.5V to 18V supply
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
- Withstands 720V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- Digital temperature PWM output
- LMG3526R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
The LMG352xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG352xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.
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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
기술 자료
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|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG352xR030 650 V 30 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2024/05/23 |
| Application note | Implementation of Single-Phase Off-Grid Inverter With Digital Control Using PLECS Simulation | PDF | HTML | 2024/04/15 | |
| Technical article | 높은 회전율로 부하 과도 테스트 | PDF | HTML | 2024/03/20 | |
| Analog Design Journal | 고밀도 GaN 최적화 PFC 컨버터에서 AC 드롭아웃 복구 문제 해결 | PDF | HTML | 2024/03/18 | |
| Technical article | The benefits of GaN for battery test systems | PDF | HTML | 2022/10/07 |
설계 및 개발
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도터 카드
LMG3522EVM-042 — 드라이버 부속 카드가 통합된 LMG3522R030-Q1 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET
LMG3522EVM-042는 하프 브리지에서 LMG3522R030 GaN FET 2개를 구성하며, 사이클별 과전류 보호 기능, 래치형 단락 보호 기능 및 모든 필요 보조 주변 회로를 갖고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.
사용 설명서: PDF
시뮬레이션 모델
LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model
SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
계산 툴
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
계산 툴
SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
레퍼런스 디자인
PMP41078 — GaN HEMT를 지원하는 고전압-저전압 DC-DC 컨버터 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 650V 질화 갈륨(GaN) 하이 전자 모빌리티 트랜지스터(HEMT)를 지원하는 3.5kW 고전압-저전압 DC 컨버터를 설명합니다. LMG3522R030을 기본 스위치로 사용하여 컨버터는 높은 스위칭 주파수에서 작동합니다. 이 설계에서 컨버터는 더 작은 크기의 변압기를 사용합니다. 액티브 클램핑 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 열 성능을 완화하기 위해 컨버터는 2채널 액티브 클램핑 회로를 사용합니다.
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
TIDA-010938 — 배터리 에너지 저장 시스템 레퍼런스 설계가 포함된 10kW, GaN 기반 단상 스트링 인버터
이 레퍼런스 설계는 두 개의 스트링 입력을 갖춘 단상 스트링 인버터로, 각각 80V에서 500V의 배터리 스택을 처리할 수 있는 에너지 저장 시스템 포트를 하나씩 처리합니다. 스트링 입력에서 배터리 저장 시스템까지 정격 전력은 최대 10kW입니다. 구성 가능한 AC/DC 컨버터는 230V에서 단상 그리드 연결로 최대 3.6kW를 처리할 수 있습니다.
Design guide: PDF
레퍼런스 디자인
PMP22951 — 능동 클램프 참조 설계를 적용한 54V, 3kW 위상 변이 풀 브리지
레퍼런스 설계는 GaN 기반 3kW 위상 변환 풀 브리지(PSFB) 컨버터입니다. 이 설계에서는 동기식 정류기(SR) MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 이차측에 액티브 클램프를 사용하며, 그에 따라 FOM(figure-of-merit)이 더 우수한, 상대적으로 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP22951은 일차측에서 30mΩ GaN을 사용하고, 동기식 정류기용으로 100V, 1.8mΩ GaN을 사용합니다. PSFB 제어는 TMS320F280049C 실시간 마이크로컨트롤러를 사용해 구현합니다. (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
PMP23338 — 전자 계량기 기능을 지원하는 3.6kW, 단상 토템 폴 브리지리스 PFC 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 M-CRPS 전원 공급을 목표로 하는 질화 갈륨(GaN) 기반, 3kW, 단일 위상 CCM(연속 전도 모드) 토템 폴 브리지리스 PFC(역률 보정) 컨버터입니다. 이 설계에는 0.5%의 정확도의 전기 계량기 기능이 포함되어 있어 외부 전력 계량 IC가 필요 없습니다. 이 공급 장치는 16A RMS의 최대 입력 전류와 3.6kW의 피크 전력을 지원하도록 설계되었습니다. 전력계 다음에는 베이비 부스트 컨버터가 있으며, 이를 이용해 벌크 커패시터의 크기를 대폭 줄일 수 있습니다. 일체형 드라이버와 보호 기능을 갖춘 (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
PMP40988 — 가변 주파수, ZVS, 5kW, GaN 기반, 2상 토템 폴 PFC 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 디자인은 고밀도, 고효율 5kW 토템 폴 전력 역률 보정(PFC) 설계입니다. 이 설계는 가변 주파수 및 제로 전압 스위칭(ZVS)과 함께 작동하는 2상 토템 폴 PFC를 사용합니다. 이 컨트롤은 새로운 토폴로지와 향상된 삼각형 전류 모드(iTCM)를 사용하여 작은 크기와 높은 효율을 모두 달성합니다. 이 설계는 TMS320F280049C 마이크로컨트롤러 내부의 고성능 프로세싱 코어를 사용하여 광범위한 작동 범위에 걸쳐 효율성을 유지합니다. PFC는 100kHz~800kHz 사이의 가변 주파수로 작동합니다. (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
PMP23069 — 16A 최대 입력을 지원하는 3kW, 180W/in3 단상 토템 폴 브리지리스 PFC 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 C2000 F28003x 및 F28004x 마이크로컨트롤러를 사용하여 연속 전도 모드 토템 폴 PFC(역률 보정 컨버터)를 제어하는 방법을 보여줍니다. 또한 PFC는 그리드 연결(전류 제어) 모드에서 인버터로 작동합니다. 이 컨버터는 16ARMS의 최대 입력 전류와 3.6kW의 피크 전력을 지원하도록 설계되었습니다. 일체형 드라이버와 보호 기능을 갖춘 LMG3522 상단면 냉각 GaN 장치는 효율성을 높여주고 전원 공급 장치의 크기와 복잡성은 감소시켜 줍니다. F28004x 또는 F28002x 기반 C2000 (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
PMP23126 — 전력 밀도가 270W/in33kW를 초과하는 액티브 클램프 레퍼런스 설계를 반영한 3kW 위상 전환 풀 브리지
이 레퍼런스 설계는 최대 전력 밀도를 목표로 하는 GaN 기반 3kW PSFB(위상 이동 풀 브리지)입니다. 이 설계에는 보조 동기식 정류기 MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 액티브 클램프가 있으며 그에 따라 더 우수한 FOM(figure-of-merit)과 더 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP23126은 기본 측에서 TI의 30mΩ GaN을 사용하고 보조 측에서 실리콘 MOSFET를 사용합니다. LMG3522 상단 측 냉각d GaN과 일체형 드라이버 및 보호 기능이 Si MOSFET와 (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
PMP23249 — 650V 30mΩ GaN FET 부속 카드 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 필요한 모든 바이어스 회로 및 로직 또는 전력 레벨 전환을 지원하는 하프 브리지 구성에 통합 드라이버 및 보호 기능을 갖춘 LMG352XR0X0 650V GaN FET 두 개를 제공합니다. 전력계, 게이트 구동, 고주파 전류 루프가 보드에 완전히 밀폐되어 전원 루프 기생 인덕턴스를 최소화하여 전압 오버슈팅을 줄이고 성능을 향상시킵니다. 이 설계는 다양한 애플리케이션에서 LMG352XR0X0을 실행하는 외부 전력계와 손쉽게 인터페이스를 위한 소켓 스타일 외부 연결을 위해 구성되어 있습니다.
Test report: PDF
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (RQS) | 52 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치