LMG5200
- Integrated 15-mΩ GaN FETs and Driver
- 80-V Continuous, 100-V Pulsed Voltage Rating
- Package Optimized for Easy PCB Layout, Eliminating Need for Underfill, Creepage, and Clearance Requirements
- Very Low Common Source Inductance to Ensure High Slew Rate Switching Without Causing Excessive Ringing in Hard-Switched Topologies
- Ideal for Isolated and Non-Isolated Applications
- Gate Driver Capable of Up to 10 MHz Switching
- Internal Bootstrap Supply Voltage Clamping to Prevent GaN FET Overdrive
- Supply Rail Undervoltage Lockout Protection
- Excellent Propagation Delay (29.5 ns Typical) and Matching (2 ns Typical)
- Low Power Consumption
The LMG5200 device, an 80-V, 10-A driver plus GaN half-bridge power stage, provides an integrated power stage solution using enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 80-V GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.
GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have near zero reverse recovery and very small input capacitance CISS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG5200 device is available in a 6 mm × 8 mm × 2 mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.
The TTL logic compatible inputs can withstand input voltages up to 12 V regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.
The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor. When used with the TPS53632G controller, the LMG5200 enables direct conversion from 48-V to point-of-load voltages (0.5-1.5 V).
기술 자료
설계 및 개발
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LMG5200EVM-02 — LMG5200 GaN 전력계 평가 모듈
LMG5200POLEVM-10 — LMG5200 GaN 48V~1V PoL(Point of Load) 평가 모듈
LMG5200POLEVM-10 EVM은 48V~1V 애플리케이션에서 LMG5200 GaN 전력계와 TPS53632G 하프 브리지 부하 지점 컨트롤러 평가 용도로 설계되었습니다. 이 EVM은 전류 더블러 정류기가 있는 단일 단계 하드 스위치형 하프 브리지로서 48V~1V 컨버터를 구현합니다. 이 EVM은 36~75V 입력 전압을 지원하며 최대 50A의 출력 전류를 지원합니다. 이 토폴로지는 높은 강압(스텝다운) 비율을 지원하면서 동시에 상당한 수준의 출력 전류와 제어성을 제공합니다.
BOOSTXL-3PHGANINV — 션트 기반 인라인 모터 위상 전류 감지를 지원하는 48V 3상 인버터 평가 모듈
The BOOSTXL-3PHGANINV evaluation module features a 48-V/10-A three-phase GaN inverter with precision in-line shunt-based phase current sensing for accurate control of precision drives such as servo drives.
MathWorks MATLAB & Simulink example models include the following:
LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)
TIDA-00909 — 고속 드라이브를 위한 48V/10A 고주파 PWM 3상 GaN 인버터 레퍼런스 디자인
TIDA-00913 — 션트 기반 인라인 모터 위상 전류 감지를 지원하는 48V 3상 인버터 레퍼런스 디자인
TIDM-02006 — 고속 직렬 인터페이스(FSI)를 통한 분산 다중 축 서보 드라이브 레퍼런스 설계
TIDM-02007 — 단일 MCU에서 빠른 전류 루프(FCL) 및 SFRA를 사용하는 듀얼 축 모터 드라이브 레퍼런스 설계
PMP22089 — GaN 기술을 지원하는 하프 브리지 부하 지점 컨버터 레퍼런스 설계
PMP4486 — 3 출력을 지원하는 48Vin 디지털 POL 레퍼런스 디자인
PMP4497 — LMG5200 48V~1V/40A 단일 스테이지 컨버터 레퍼런스 디자인
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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QFM (MOF) | 9 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치