홈 전원 관리 Power stages 질화 갈륨(GaN) 전력계
홈
전원 관리
Power stages
질화 갈륨(GaN) 전력계
신규

LMG3522R030-Q1

활성

통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET

지금 주문
데이터 시트

LMG3522R030-Q1

활성
데이터 시트 지금 주문

제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
    • Junction temperature: –40°C to +150°C, TJ
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA
    • Junction temperature: –40°C to +150°C, TJ
  • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 2MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
  • Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance

The LMG3522R030-Q1 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.

The LMG3522R030-Q1 GaN FET with integrated driver and protections is targeting switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overtemperature, overcurrent, and UVLO monitoring.

filter 기타 질화 갈륨(GaN) 전력계 찾기
다운로드 스크립트와 함께 비디오 보기 동영상

관심 가지실만한 유사 제품

open-in-new 대안 비교
비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
LMG3522R030 활성 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET Catalog version with top-side cooling
다른 핀 출력을 지원하지만 비교 대상 장치와 동일한 기능
LMG3422R030 활성 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET Industrial grade version with bottom-side cooling

기술 자료

star =TI에서 선정한 이 제품의 인기 문서
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
13개 모두 보기
유형 직함 날짜
* Data sheet LMG3522R030-Q1 650 V 30 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. D) PDF | HTML 2024/02/02
Technical article Managing thermals: 3 ways to break through power-density barriers PDF | HTML 2022/10/16
Technical article Is GaN reliable, or is that the right question? PDF | HTML 2022/04/21
Technical article Increasing power density with an integrated GaN solution PDF | HTML 2022/03/14
More literature AEC-Q100 GaN: Future for on-board charging and high-voltage DC/DC 2021/12/15
More literature Optimizing GaN-Based High-Voltage, High-Power Designs PDF | HTML 2021/12/07
More literature Optimizing GaN-based high-voltage, high-power designs PPT 2021/12/02
White paper Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 2021/06/02
White paper TI GaN FET와 C2000™ 실시간 MCU를 결합하여 전력 밀도가 높고 효율적인 전원 시스템 달성 2021/03/18
Application note Thermal Design and Performance of Top-Side Cooled QFN 12x12 Package 2021/03/05
EVM User's guide LMG352XEVM-04X EVM User's Guide (Rev. A) 2021/02/03
Technical article Automotive GaN FETs engineered for high frequency and robustness in HEV/EVs PDF | HTML 2020/11/30
Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 2020/09/22

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LMG342X-BB-EVM — LMG342x 평가 모듈

LMG342X-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3422EVM-043과 같은 LMG342xR0x0 하프 브리지 보드를 구성하는 데 사용하는 간편한 브레이크아웃 보드입니다. 이 평가 모듈(EVM)은 전력계, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 질화 갈륨(GaN) 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다. 이 EVM은 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파 작동 등)로 최대 12A의 출력 전류를 제공하여 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 할 수 있습니다. 이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 (...)

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
도터 카드

LMG3522EVM-042 — 드라이버 부속 카드가 통합된 LMG3522R030-Q1 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET

LMG3522EVM-042는 하프 브리지에서 LMG3522R030 GaN FET 2개를 구성하며, 사이클별 과전류 보호 기능, 래치형 단락 보호 기능 및 모든 필요 보조 주변 회로를 갖고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
다운로드
시뮬레이션 모델

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice Model
다운로드
계산 툴

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG2100R044 — 100V 4.4mΩ 하프 브리지 GaN FET와 통합 드라이버 및 보호 LMG2610 — 통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지 LMG2650 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 95mΩ GaN 하프 브리지 LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 하프 브리지 전력계
다운로드
계산 툴

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET
다운로드
계산 툴

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET
다운로드
레퍼런스 디자인

PMP22650 — GaN 기반, 6.6kW, 양방향, 온보드 충전기 레퍼런스 디자인

PMP22650 레퍼런스 설계는 6.6kW 양방향 온보드 충전기입니다. 이 설계에서는 2상 토템 폴 PFC와 동기 정류를 지원하는 풀 브리지 CLLLC 컨버터를 사용합니다. CLLLC은 주파수 및 위상 변조를 모두 활용하여 필요한 조정 범위 전반에 걸쳐 출력을 조정합니다. 이 설계에서는 TMS320F28388D 마이크로컨트롤러 내부의 단일 프로세싱 코어를 사용하여 PFC 및 CLLLC를 모두 제어합니다. 동기 정류는 로고우스키(Rogowski) 코일 전류 센서가 탑재된 동일한 마이크로컨트롤러를 통해 구현됩니다. 고속 GaN (...)
Test report: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDM-02013 — C2000™ MCU를 사용하는 CCM 토템 폴 PFC 및 CLLLC DC/DC를 갖춘 7.4kW 온보드 충전기 레퍼런스 설계

TIDM-02013은 양방향 온보드 충전기 레퍼런스 설계입니다. 이 설계는 인터리브드 CCM(Continuous Conduction Mode) 토템 폴(TTPL) 브리지리스 PFC(Power Factor Correction) 전력계, 그리고 단일 C2000™ 실시간 제어 마이크로컨트롤러(MCU)를 사용하여 제어되는 CLLLC DCDC 전력계로 구성되며 TI 질화 갈륨(GaN) 전원 모듈을 활용합니다.

이 전력 토폴로지는 양방향 전력 흐름(PFC 및 그리드 장착 인버터)을 사용할 수 있으며, GaN 장치를 사용하여 전원 공급 장치의 (...)

Design guide: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-010236 — 가전제품용 4kW GaN 토템폴 PFC 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 상단 냉각 갈륨 질화물(GaN) 도터보드와 TMS320F280025C 디지털 컨트롤러를 갖춘 4kW CCM(연속 전도 모드) 토템폴 역률 보정(PFC)입니다. LMG352x 및 ​​C2000의 일체형 보호 기능과 함께 완전한 보호 기능을 구현합니다. AC 강하, 서지 및 전도성 방출(CE)이 완전히 검증되어 C2000 및 GaN을 갖춘 고효율의 견고한 토템폴 PFC 설계를 제공합니다.
Design guide: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

동영상