계산 툴
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
데이터 시트
LMG3425R050
- Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
- 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
- Integrated high precision gate bias voltage
- 200V/ns FET hold-off
- 3.6MHz switching frequency
- 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
- Operates from 7.5V to 18V supply
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
- Withstands 720V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- Digital temperature PWM output
- Ideal diode mode reduces third-quadrant losses
The LMG3425R050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG3425R050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.
Advanced power management features include digital temperature reporting, fault detection, and ideal diode mode. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin. Ideal diode mode reduces third-quadrant losses by enabling dead-time control.
기술 자료
검색된 결과가 없습니다. 검색어를 지우고 다시 시도하십시오.
7개 모두 보기 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG3425R050 600 V 50 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet | PDF | HTML | 2024/03/08 |
| White paper | Achieving GaN Products With Lifetime Reliability | PDF | HTML | 2021/06/02 | |
| White paper | TI GaN FET와 C2000™ 실시간 MCU를 결합하여 전력 밀도가 높고 효율적인 전원 시스템 달성 | 2021/03/18 | ||
| Application note | Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A) | PDF | HTML | 2020/11/19 | |
| Technical article | How GaN FETs with integrated drivers and self-protection will enable the next gene | PDF | HTML | 2020/11/17 | |
| More literature | A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET | 2020/10/20 | ||
| Analog Design Journal | Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC | 2020/09/22 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
평가 보드
LMG342X-BB-EVM — LMG342x 평가 모듈
LMG342X-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3422EVM-043과 같은 LMG342xR0x0 하프 브리지 보드를 구성하는 데 사용하는 간편한 브레이크아웃 보드입니다. 이 평가 모듈(EVM)은 전력계, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 질화 갈륨(GaN) 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다. 이 EVM은 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파 작동 등)로 최대 12A의 출력 전류를 제공하여 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 할 수 있습니다. 이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 (...)
도터 카드
LMG3425EVM-041 — 이상적인 다이오드 모드 하프 브리지를 지원하는 LMG3425R050 600V 50mΩ 도터 카드
LMG3425EVM-041은 하프 브리지에서 LMG3425R050 GaN FET 2개를 구성하며 래치형 과전류 보호 기능 및 필요한 모든 보조 주변 회로를 갖추고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.
시뮬레이션 모델
LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model
SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (RQZ) | 54 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치