홈 전원 관리 Power stages 질화 갈륨(GaN) 전력계
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질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3411R070

활성

600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호

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LMG3411R070

활성
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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN Process Qualified Through Accelerated Reliability In-application Hard-switching Mission Profiles
  • Enables High Density Power Conversion Designs
    • Superior System Performance Over Cascode or Stand-alone GaN FETs
    • Low Inductance 8mm x 8mm QFN Package for Ease of Design, and Layout
    • Adjustable Drive Strength for Switching Performance and EMI Control
    • Digital Fault Status Output Signal
    • Only +12 V Unregulated Supply Needed
  • Integrated Gate Driver
    • Zero Common Source Inductance
    • 20 ns Propagation Delay for MHz Operation
    • Process-tuned Gate Bias Voltage for Reliability
    • 25 to 100V/ns User Adjustable Slew Rate
  • Robust Protection
    • Requires No External Protection Components
    • Over-current Protection with <100ns Response
    • >150V/ns Slew Rate Immunity
    • Transient Overvoltage Immunity
    • Overtemperature Protection
    • UVLO Protection on All Supply Rails
  • Device Options:
    • LMG3410R070: Latched Overcurrent Protection
    • LMG3411R070: Cycle-by-cycle Overcurrent Protection
  • TI GaN Process Qualified Through Accelerated Reliability In-application Hard-switching Mission Profiles
  • Enables High Density Power Conversion Designs
    • Superior System Performance Over Cascode or Stand-alone GaN FETs
    • Low Inductance 8mm x 8mm QFN Package for Ease of Design, and Layout
    • Adjustable Drive Strength for Switching Performance and EMI Control
    • Digital Fault Status Output Signal
    • Only +12 V Unregulated Supply Needed
  • Integrated Gate Driver
    • Zero Common Source Inductance
    • 20 ns Propagation Delay for MHz Operation
    • Process-tuned Gate Bias Voltage for Reliability
    • 25 to 100V/ns User Adjustable Slew Rate
  • Robust Protection
    • Requires No External Protection Components
    • Over-current Protection with <100ns Response
    • >150V/ns Slew Rate Immunity
    • Transient Overvoltage Immunity
    • Overtemperature Protection
    • UVLO Protection on All Supply Rails
  • Device Options:
    • LMG3410R070: Latched Overcurrent Protection
    • LMG3411R070: Cycle-by-cycle Overcurrent Protection

The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR070 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100V/ns switching with near zero Vds ringing, <100 ns current limiting self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR070 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100V/ns switching with near zero Vds ringing, <100 ns current limiting self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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설계 및 개발

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평가 보드

LMG34XX-BB-EVM — LMG341x 제품군을 위한 LMG34xx GaN 시스템 레벨 평가 마더보드

LMG34XX-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3410-HB-EVM과 같은 LMG341X 하프 브리지 보드를 구성하기 위해 사용하기 쉬운 브레이크아웃 보드입니다. 이 EVM은 전력계, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 GaN 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다. 이 EVM은 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파 작동 등)로 최대 8A의 출력 전류를 제공하여 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 할 수 있습니다. 이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 않습니다.

단일 펄스 폭 변조 입력만 (...)

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
도터 카드

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70-mΩ GaN 하프 브리지 부속 카드

The LMG34XX-BB-EVM is an easy to use breakout board to configure any LMG34XX half bridge board, such as the LMG3410-HB-EVM, as a synchronous buck converter.  By providing a power stage, bias power and logic circuitry this EVM allows for quick measurements of the GaN device switching. (...)
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
도터 카드

LMG3411EVM-029 — 사이클 단위 과전류 보호 하프 브리지 도터 카드가 포함된 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN

LMG3411EVM-029는 사이클 단위 과전류 보호 기능 및 필요한 모든 보조 주변기기 회로를 포함하는 하프 브리지에 2개의 LMG3411R070 GaN FET를 구성합니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
계산 툴

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 수출 승인 필요(1분)
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG2100R044 — 100V 4.4mΩ 하프 브리지 GaN FET와 통합 드라이버 및 보호 LMG2610 — 통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지 LMG2650 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 95mΩ GaN 하프 브리지 LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 하프 브리지 전력계
lock 다운로드
계산 툴

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET
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SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

지원되는 제품 및 하드웨어

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제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET
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Continuous-Conduction-Mode (CCM) Totem-pole power factor correction (PFC) is a simple but efficient power converter.  To achieve 99% efficiency, there are many design details that need to be taken into account.  The PMP20873 reference design uses TI’s 600VGaN  power stage, (...)
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PMP21309 — HV GaN FET를 지원하는 24V/500W 공진 컨버터 레퍼런스 설계

This reference design is a high-frequency resonant converter reference design. The output voltage is regulated to 24 V with input voltage ranges from 380 V to 400 V using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A 97.9% peak efficiency is achieved with this design using TI’s (...)
Test report: PDF
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레퍼런스 디자인

PMP21842 — HV GaN FET를 지원하는 12V/500W 공진 컨버터 레퍼런스 설계

이 고주파 공진 컨버터 레퍼런스 설계는 500kHz 공진 주파수가 있는 공진 탱크를 사용하여 380V~400V 입력 전압 범위에서 12V 출력을 조정합니다. 이 설계는 데드 타임 및 동기 정류기(SR) 전도를 최적화하기 위해 UCD3138A 및 UCD7138과 함께 고전압 GaN 장치를 사용하여 96.0%(바이어스 전원 포함)의 피크 효율을 달성합니다.
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패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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