홈 전원 관리 Power stages 질화 갈륨(GaN) 전력계
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질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3411R070

활성

600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호

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LMG3411R070

활성
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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN Process Qualified Through Accelerated Reliability In-application Hard-switching Mission Profiles
  • Enables High Density Power Conversion Designs
    • Superior System Performance Over Cascode or Stand-alone GaN FETs
    • Low Inductance 8mm x 8mm QFN Package for Ease of Design, and Layout
    • Adjustable Drive Strength for Switching Performance and EMI Control
    • Digital Fault Status Output Signal
    • Only +12 V Unregulated Supply Needed
  • Integrated Gate Driver
    • Zero Common Source Inductance
    • 20 ns Propagation Delay for MHz Operation
    • Process-tuned Gate Bias Voltage for Reliability
    • 25 to 100V/ns User Adjustable Slew Rate
  • Robust Protection
    • Requires No External Protection Components
    • Over-current Protection with <100ns Response
    • >150V/ns Slew Rate Immunity
    • Transient Overvoltage Immunity
    • Overtemperature Protection
    • UVLO Protection on All Supply Rails
  • Device Options:
    • LMG3410R070: Latched Overcurrent Protection
    • LMG3411R070: Cycle-by-cycle Overcurrent Protection
  • TI GaN Process Qualified Through Accelerated Reliability In-application Hard-switching Mission Profiles
  • Enables High Density Power Conversion Designs
    • Superior System Performance Over Cascode or Stand-alone GaN FETs
    • Low Inductance 8mm x 8mm QFN Package for Ease of Design, and Layout
    • Adjustable Drive Strength for Switching Performance and EMI Control
    • Digital Fault Status Output Signal
    • Only +12 V Unregulated Supply Needed
  • Integrated Gate Driver
    • Zero Common Source Inductance
    • 20 ns Propagation Delay for MHz Operation
    • Process-tuned Gate Bias Voltage for Reliability
    • 25 to 100V/ns User Adjustable Slew Rate
  • Robust Protection
    • Requires No External Protection Components
    • Over-current Protection with <100ns Response
    • >150V/ns Slew Rate Immunity
    • Transient Overvoltage Immunity
    • Overtemperature Protection
    • UVLO Protection on All Supply Rails
  • Device Options:
    • LMG3410R070: Latched Overcurrent Protection
    • LMG3411R070: Cycle-by-cycle Overcurrent Protection

The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR070 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100V/ns switching with near zero Vds ringing, <100 ns current limiting self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR070 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100V/ns switching with near zero Vds ringing, <100 ns current limiting self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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설계 및 개발

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평가 보드

LMG34XX-BB-EVM — LMG341x 제품군을 위한 LMG34xx GaN 시스템 레벨 평가 마더보드

LMG34XX-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3410-HB-EVM과 같은 LMG341X 하프 브리지 보드를 구성하기 위해 사용하기 쉬운 브레이크아웃 보드입니다. 이 EVM은 전력계, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 GaN 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다. 이 EVM은 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파 작동 등)로 최대 8A의 출력 전류를 제공하여 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 할 수 있습니다. 이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 않습니다.

단일 펄스 폭 변조 입력만 (...)

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도터 카드

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70-mΩ GaN 하프 브리지 부속 카드

The LMG34XX-BB-EVM is an easy to use breakout board to configure any LMG34XX half bridge board, such as the LMG3410-HB-EVM, as a synchronous buck converter.  By providing a power stage, bias power and logic circuitry this EVM allows for quick measurements of the GaN device switching. (...)
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LMG3411EVM-029 — 사이클 단위 과전류 보호 하프 브리지 도터 카드가 포함된 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN

LMG3411EVM-029는 사이클 단위 과전류 보호 기능 및 필요한 모든 보조 주변기기 회로를 포함하는 하프 브리지에 2개의 LMG3411R070 GaN FET를 구성합니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.
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LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
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제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
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이 고주파 공진 컨버터 레퍼런스 설계는 500kHz 공진 주파수가 있는 공진 탱크를 사용하여 380V~400V 입력 전압 범위에서 12V 출력을 조정합니다. 이 설계는 데드 타임 및 동기 정류기(SR) 전도를 최적화하기 위해 UCD3138A 및 UCD7138과 함께 고전압 GaN 장치를 사용하여 96.0%(바이어스 전원 포함)의 피크 효율을 달성합니다.
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주문 및 품질

포함된 정보:
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  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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