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질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3410R150

활성

600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호

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LMG3410R150

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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN process qualified through accelerated reliability in-application hard-switching profiles
  • Enables high-density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm × 8 mm QFN package for ease of design and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V of unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20-ns propagation delay for high-frequency design
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25-V/ns to 100-V/ns adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with <100 ns response
    • Greater than 150-V/ns slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Undervoltage lockout (UVLO) protection on all supply rails
  • Device Options:
    • LMG3410R150: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R150: Cycle-by-cycle overcurrent proection
  • TI GaN process qualified through accelerated reliability in-application hard-switching profiles
  • Enables high-density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm × 8 mm QFN package for ease of design and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V of unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20-ns propagation delay for high-frequency design
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25-V/ns to 100-V/ns adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with <100 ns response
    • Greater than 150-V/ns slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Undervoltage lockout (UVLO) protection on all supply rails
  • Device Options:
    • LMG3410R150: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R150: Cycle-by-cycle overcurrent proection

The LMG341xR150 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The inherent advantages of this device over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR150 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero VDS ringing, less than 100-ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

The LMG341xR150 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The inherent advantages of this device over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR150 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero VDS ringing, less than 100-ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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기술 자료

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설계 및 개발

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평가 보드

LMG34XX-BB-EVM — LMG341x 제품군을 위한 LMG34xx GaN 시스템 레벨 평가 마더보드

LMG34XX-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3410-HB-EVM과 같은 LMG341X 하프 브리지 보드를 구성하기 위해 사용하기 쉬운 브레이크아웃 보드입니다. 이 EVM은 전력계, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 GaN 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다. 이 EVM은 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파 작동 등)로 최대 8A의 출력 전류를 제공하여 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 할 수 있습니다. 이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 않습니다.

단일 펄스 폭 변조 입력만 (...)

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
도터 카드

LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN 하프 브리지 도터 카드

LMG3410EVM-031 configures two LMG3410R150 GaN FETs in a half bridge with the latched over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.
사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

LMG3410R150 Unencrypted PSPICE Trans Model Package (Rev. A)

SNOM676A.ZIP (42 KB) - PSpice Model
다운로드
계산 툴

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 수출 승인 필요(1분)
지원되는 제품 및 하드웨어

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제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG2100R044 — 100V 4.4mΩ 하프 브리지 GaN FET와 통합 드라이버 및 보호 LMG2610 — 통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지 LMG2650 — 일체형 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 650V 95mΩ GaN 하프 브리지 LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 하프 브리지 전력계
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패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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