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TRF0208-SP

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방사능 손상 방지 보증(RHA), 근거리 DC-11MHz 3dB BW 단일 종단-차동 증폭기 RF 증폭기

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TRF0208-SP

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제품 상세 정보

Current consumption (mA) 130 Frequency (min) (MHz) 1 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Type Active Balun, RF FDA Rating Space
Current consumption (mA) 130 Frequency (min) (MHz) 1 Frequency (max) (MHz) 11000 Gain (typ) (dB) 16 Noise figure (typ) (dB) 6.8 OIP3 (typ) (dBm) 36 P1dB (typ) (dBm) 14.5 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Type Active Balun, RF FDA Rating Space
WQFN-FCRLF (RPV) 12 4 mm² 2 x 2
  • Standard microcircuit drawing (SMD), 5962-24202
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 100krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 75MeV-cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 75MeV‑cm2/mg
  • Space-grade QMLP
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA
  • Standard microcircuit drawing (SMD), 5962-24202
  • Radiation:
    • Total ionizing dose (TID)
      • Radiation hardness assurance (RHA) up to 100krad (Si) TID
      • Enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) free process
      • High dose rate radiation lot acceptance testing (HDR RLAT) up to 100krad (Si) TID
    • Single event effects (SEE)
      • Single event latch-up (SEL) immune to linear energy transfer (LET) of 75MeV-cm2/mg
      • Single event transient (SET) characterized to LET of 75MeV‑cm2/mg
  • Space-grade QMLP
    • Lead-free construction
    • Extended temperature range: –55°C to +125°C
  • Excellent performance driving RF ADCs
  • Fixed power gain of 16dB in single-ended-to-differential mode
  • Bandwidth: 11GHz, 3dB
  • Gain flatness: 8GHz, 1dB
  • OIP3: 36dBm (2GHz), 32dBm (6GHz)
  • P1dB: 14.5dBm (2GHz), 11dBm (6GHz)
  • NF: 6.8dB (2GHz), 6.8dB (6GHz)
  • Gain and phase imbalance: ±0.3dB and ±3º
  • Power-down feature
  • Single-supply operation: 3.3V
  • Active current: 138mA

The TRF0208-SP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance ADC12DJ5200-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using TI’s advanced complementary BiCMOS process, and available in a space-saving WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power savings.

The TRF0208-SP is a very high performance fully differential amplifier (FDA) optimized for radio frequency (RF) applications. This device is excellent for ac-coupled applications that require a single-ended to differential conversion when driving an analog-to-digital converter (ADC) such as the high-performance ADC12DJ5200-SP. The on-chip matching components simplify printed circuit board (PCB) implementation and provide the highest performance over the usable bandwidth. The device is fabricated using TI’s advanced complementary BiCMOS process, and available in a space-saving WQFN-FCRLF package.

The TRF0208-SP operates on a single-rail supply and consumes about 138mA of active current. A power-down feature is available for power savings.
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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet TRF0208-SP Radiation-Hardness-Assured (RHA), Near-DC to 11GHz, Fully Differential RF Amplifier datasheet PDF | HTML 2024/06/06
Technical article Phased array antenna systems: A new paradigm for electronics in satellites (Rev. A) PDF | HTML 2024/06/11

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TRF0208SP-EVM — TRF0208-SP 평가 모듈

TRF0208-SP 평가 모듈(EVM)은 2mm x 2mm, 12핀 WQFN 패키지에서 사용할 수 있는 차동 RF 증폭기인 TRF0208-SP 장치를 평가하는 데 사용됩니다. 이 장치는 고속 및 RF 차동 입력 ADC를 구동하도록 설계되어 두 가지 부품(게인 블록 및 패시브 발룬) 구동 단계가 필요하지 않습니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
WQFN-FCRLF (RPV) 12 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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