TSV912

활성

듀얼, 5.5V, 8MHz, RRIO 연산 증폭기

제품 상세 정보

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.5 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 8 Slew rate (typ) (V/µs) 6.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.5 Iq per channel (typ) (mA) 0.6 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 18 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.53 Features EMI Hardened CMRR (typ) (dB) 103 Iout (typ) (A) 0.05 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.1 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.015 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.015
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 2.5 Rail-to-rail In, Out GBW (typ) (MHz) 8 Slew rate (typ) (V/µs) 6.5 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.5 Iq per channel (typ) (mA) 0.6 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 18 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.53 Features EMI Hardened CMRR (typ) (dB) 103 Iout (typ) (A) 0.05 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) -0.1 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.1 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.015 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -0.015
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8 TSSOP (PW) 8 19.2 mm² 3 x 6.4 VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² 3 x 4.9 WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2
  • Rail-to-rail input and output
  • Low noise: 18 nV/√Hz at 1 kHz
  • Low power consumption: 550 µA (typical)
  • High-gain bandwidth: 8 MHz
  • Operating supply voltage from 2.5 V to 5.5 V
  • Low input bias current: 1 pA (typical)
  • Low input offset voltage: 1.5 mV (maximum)
  • Low offset voltage drift: ±0.5 µV/°C (typical)
  • ESD internal protection: ±4-kV human-body model (HBM)
  • Extended temperature range: –40°C to 125°C
  • Rail-to-rail input and output
  • Low noise: 18 nV/√Hz at 1 kHz
  • Low power consumption: 550 µA (typical)
  • High-gain bandwidth: 8 MHz
  • Operating supply voltage from 2.5 V to 5.5 V
  • Low input bias current: 1 pA (typical)
  • Low input offset voltage: 1.5 mV (maximum)
  • Low offset voltage drift: ±0.5 µV/°C (typical)
  • ESD internal protection: ±4-kV human-body model (HBM)
  • Extended temperature range: –40°C to 125°C

The TSV91x family, which includes single-, dual-, and quad-channel operational amplifiers (op amps), is specifically designed for general-purpose applications. Featuring rail-to-rail input and output (RRIO) swings, wide bandwidth (8 MHz), and low offset voltage (0.3 mV, typical), this family is designed for a variety of applications that require a good balance between speed and power consumption. The op amps are unity-gain stable and feature an ultra-low input bias current, which enables the family to be used in applications with high-source impedances. The low input bias current allows the devices to be used for sensor interfaces, battery-supplied and portable applications, and active filtering.

The robust design of the TSV91x provides ease-of-use to the circuit designer. Features include a unity-gain stable, integrated RFI-EMI rejection filter, no phase reversal in overdrive condition, and high electrostatic discharge (ESD) protection (4-kV HBV).

The TSV91x family, which includes single-, dual-, and quad-channel operational amplifiers (op amps), is specifically designed for general-purpose applications. Featuring rail-to-rail input and output (RRIO) swings, wide bandwidth (8 MHz), and low offset voltage (0.3 mV, typical), this family is designed for a variety of applications that require a good balance between speed and power consumption. The op amps are unity-gain stable and feature an ultra-low input bias current, which enables the family to be used in applications with high-source impedances. The low input bias current allows the devices to be used for sensor interfaces, battery-supplied and portable applications, and active filtering.

The robust design of the TSV91x provides ease-of-use to the circuit designer. Features include a unity-gain stable, integrated RFI-EMI rejection filter, no phase reversal in overdrive condition, and high electrostatic discharge (ESD) protection (4-kV HBV).

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기술 자료

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유형 직함 날짜
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설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

AMP-PDK-EVM — 증폭기 성능 개발 키트 평가 모듈

증폭기 성능 개발 키트(PDK)는 일반적인 연산 증폭기(OP 앰프) 매개 변수를 테스트할 수 있는 평가 모듈(EVM) 키트입니다. 대부분의 연산 증폭기 및 콤퍼레이터와 호환됩니다. EVM 키트는 패키지 요구 사항에 맞는 여러 소켓형 부속 카드 옵션이 있는 메인 보드를 제공하여 엔지니어가 디바이스 성능을 신속하게 평가하고 확인할 수 있습니다.

AMP-PDK-EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 5개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

  • D(SOIC-8 및 SOIC-14)
  • PW(TSSOP-14)
  • DGK(VSSOP-8)
  • (...)
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DIP-ADAPTER-EVM — DIP 어댑터 평가 모듈

소형 표면 실장 IC(집적 회로)와 쉽고 빠르며 경제적인 방식으로 인터페이싱하는 방법을 제공하는 DIP 어댑터 평가 모듈(DIP-ADAPTER-EVM)로 연산 증폭기 프로토타이핑 및 테스트 속도를 높이세요. 제품에 포함된 Samtec 터미널 스트립을 사용하여 지원되는 연산 증폭기를 연결하거나 기존 회로에 직접 연결할 수 있습니다.

DIP 어댑터 EVM 키트는 다음을 포함해 가장 널리 사용되는 6개의 업계 표준 패키지를 지원합니다.

  • D 및 U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8, VSSOP-8)
  • (...)
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DUAL-DIYAMP-EVM — 듀얼 채널 범용 DIY(Do-it-Yourself) 증폭기 회로 평가 모듈

The DUAL-DIYAMP-EVM is a unique evaluation module (EVM) family that provides engineers and do it yourselfers (DIYers) with real-world amplifier circuits, enabling you to quickly evaluate design concepts and verify simulations. It is designed specifically for dual package op amps in the (...)
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SMALL-AMP-DIP-EVM — 소형 패키지를 갖춘 연산 증폭기용 평가 모듈

SMALL-AMP-DIP-EVM은 여러 업계 표준 소형 패키지와 빠르고 쉬운 인터페이스를 통해 소형 패키지 연산 증폭기 프로토타입 제작 속도를 높여줍니다. SMALL-AMP-DIP-EVM은 DPW-5(X2SON), DSG-8(WSON), DCN-8(SOT), DDF-8(SOT), RUG-10(X2QFN), RUC-14(X2QFN), RGY-14(VQFN) 및 RTE-16(WQFN)을 포함한 8가지 소형 패키지 옵션을 지원합니다.

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지원되는 제품 및 하드웨어

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제품
범용 연산 증폭기
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정밀 연산 증폭기(Vos<1mV)
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하드웨어 개발
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패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
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SOT-23-THN (DDF) 8 Ultra Librarian
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VSSOP (DGK) 8 Ultra Librarian
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주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
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  • 팹 위치
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TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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