首頁 電源管理 Power stages 氮化鎵 (GaN) 功率級
首頁
電源管理
Power stages
氮化鎵 (GaN) 功率級

LMG3422R050

現行

具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET

立即訂購
產品規格表

LMG3422R050

現行
產品規格表 立即訂購

產品詳細資料

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 3.6MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3426R050 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 3.6MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3426R050 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters

The LMG342xR050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3426R050 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

The LMG342xR050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3426R050 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

filter 尋找其它 氮化鎵 (GaN) 功率級
下載 觀看有字幕稿的影片 影片

您可能會感興趣的類似產品

open-in-new 比較替代產品
引腳對引腳且具備與所比較裝置相同的功能
LMG3422R030 現行 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET Same functionality with different on-resistance
功能相同，但引腳輸出與所比較的裝置不同
LMG3410R050 現行 具有整合式驅動器和保護功能的 600-V 50-mΩ GaN 8 x 8 mm package with latched overcurrent protection and overtemperature protection

技術文件

star =TI 所選的此產品重要文件
找不到結果。請清除您的搜尋條件，然後再試一次。
檢視所有 8
類型 標題 日期
* Data sheet LMG342xR050 600 V 50 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2024年 2月 29日
Technical article How motor drive innovations are helping solve robotic movement design challenges PDF | HTML 2024年 1月 5日
White paper Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 2021年 6月 2日
White paper 結合 TI GaN FETs 與 C2000™ 即時 MCU，實現功率密集與有效率的數位電源系統 2021年 3月 18日
Application note Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A) PDF | HTML 2020年 11月 19日
Technical article How GaN FETs with integrated drivers and self-protection will enable the next gene PDF | HTML 2020年 11月 17日
More literature A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 2020年 10月 20日
Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 2020年 9月 22日

設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

LMG342X-BB-EVM — LMG342x 評估模組

LMG342X-BB-EVM 是一款易於使用的分接板，可當作同步降壓轉換器配置任何 LMG342xR0x0 半橋電路板，例如 LMG3422EVM-043。透過提供功率級、偏壓電源和邏輯電路，此評估模組 (EVM) 可快速測量氮化鎵 (GaN) 裝置切換。此 EVM 能夠提供高達 12A 的輸出電流，運用適當的溫度管理 (強制空氣、低頻運作等)，確保不超過最高操作溫度。EVM 屬於開迴路電路板，不適合執行瞬態量測。

只需要單脈衝寬度調變輸入，具有互補脈衝寬度調變訊號，和板上產生的對應失效時間。使用具有短接地彈簧的示波器探針，提供探針點來測量主要邏輯和功率級波形。

使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
子卡

LMG3422EVM-041 — LMG3422R050 600-V 50-mΩ 半橋子板

LMG3422EVM-041 於半橋配置兩個 LMG3422R050 GaN FET，具備鎖存過電流防護和所有必要輔助周邊設備電路。此 EVM 設計旨在與較大的系統配合使用。
使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
模擬型號

LMG3422R050 PSpice Model

SNOM780.ZIP (241 KB) - PSpice Model
下載
模擬型號

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
下載
CAD/CAE 符號

LMG3422R050 Step File

SNOR032.ZIP (411 KB)
下載
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有整合式驅動器和防護功能的 100-V 4.4-mΩ 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有整合式驅動器、保護和電流感測功能且適用於 ACF 的 650-V 170/248-mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 95mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600-V 50-mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電流偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測報告的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
下載
計算工具

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600-V 50-mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET
下載
參考設計

TIDA-010062 — 1-kW, 80+ titanium, GaN CCM totem pole bridgeless PFC and half-bridge LLC with LFU reference design

This reference design is a digitally controlled, compact 1-kW AC/DC power supply design for server power supply unit (PSU) and telecom rectifier applications. This highly efficient design supports two main power stages, including a front-end continuous conduction mode (CCM) totem-pole bridgeless (...)
Design guide: PDF
電路圖: PDF
參考設計

PMP41017 — 採用 GaN 和 C2000™ MCU 的 3kW 雙相交錯半橋 LLC 參考設計

此參考設計是使用 LMG3422 及 F280039C 裝置的 3-kW、雙相、交錯式半橋電感器-電感器-電容器 (LLC)。此設計可達到 98.1% 峰值效率與 313 W/in³ 功率密度，可做為常用備援電源供應器 (CRP) 伺服器電源供應器的輸出階段，可用於評估兩個並聯 LLC 階段的控制方法，例如交叉與電流平衡。
Test report: PDF
參考設計

PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 實現且具 CCM 圖騰柱 PFC 和電流模式 LLC 的 1.6-kW 參考設計

此參考設計將展示混合磁滯控制 (HHC) 方法，是配備 C2000 F28004x 微控制器的半橋 LLC 階段上之電流模式控制方式。硬體以 TIDA-010062 為基礎，為 1-kW、80 Plus 鈦金屬、GaN CCM 圖騰柱免橋接 PFC 與半橋式 LLC 參考設計。針對混合磁滯控制新增獨立感應卡，可在共振電容器上重新產生電壓。

相較於單迴路電壓模式控制 (VMC) 方法，HHC LLC 階段展示較佳的暫態回應與簡單控制迴路設計。

Test report: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供，且不構成 TI 規範。檢視使用條款。

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題，請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片