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氮化鎵 (GaN) 功率級

LMG3410R150

現行

具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN

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產品規格表

LMG3410R150

現行
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產品詳細資料

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN process qualified through accelerated reliability in-application hard-switching profiles
  • Enables high-density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm × 8 mm QFN package for ease of design and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V of unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20-ns propagation delay for high-frequency design
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25-V/ns to 100-V/ns adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with <100 ns response
    • Greater than 150-V/ns slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Undervoltage lockout (UVLO) protection on all supply rails
  • Device Options:
    • LMG3410R150: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R150: Cycle-by-cycle overcurrent proection
  • TI GaN process qualified through accelerated reliability in-application hard-switching profiles
  • Enables high-density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm × 8 mm QFN package for ease of design and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V of unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20-ns propagation delay for high-frequency design
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25-V/ns to 100-V/ns adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with <100 ns response
    • Greater than 150-V/ns slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Undervoltage lockout (UVLO) protection on all supply rails
  • Device Options:
    • LMG3410R150: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R150: Cycle-by-cycle overcurrent proection

The LMG341xR150 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The inherent advantages of this device over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR150 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero VDS ringing, less than 100-ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

The LMG341xR150 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The inherent advantages of this device over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR150 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero VDS ringing, less than 100-ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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設計與開發

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開發板

LMG34XX-BB-EVM — 適用於 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主機板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易於使用的分接板，可當作同步降壓轉換器配置任何 LMG341x 半橋電路板，例如 LMG3410-HB-EVM。透過提供功率級、偏壓電源和邏輯電路，此 EVM 可快速測量 GaN 裝置切換。此 EVM 能夠提供高達 8 A 的輸出電流，運用適當的溫度管理 (強制空氣、低頻率運作等)，確保不超過最高運作溫度。EVM 屬於開迴路電路板，不適合執行瞬態量測。

只需要單脈衝寬度調變輸入，具有互補脈衝寬度調變訊號，和板上產生的對應失效時間。使用具有短接地彈簧的示波器探針，提供探針點來測量主要邏輯和功率級波形。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
子卡

LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600-V 150-mΩ GaN 半橋子板

LMG3410EVM-031 configures two LMG3410R150 GaN FETs in a half bridge with the latched over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.
使用指南: PDF
TI.com 無法提供
模擬型號

LMG3410R150 Unencrypted PSPICE Trans Model Package (Rev. A)

SNOM676A.ZIP (42 KB) - PSpice Model
下載
計算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支援產品和硬體

支援產品和硬體

產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG2100R044 — 具有整合式驅動器和防護功能的 100-V 4.4-mΩ 半橋 GaN FET LMG2610 — 具有整合式驅動器、保護和電流感測功能且適用於 ACF 的 650-V 170/248-mΩ GaN 半橋 LMG2640 — 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 105mΩ GaN 半橋 LMG2650 — 具有整合式驅動器、防護和電流感測的 650V 95mΩ GaN 半橋 LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600-V 50-mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3426R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 600V 50mΩ GaN FET LMG3427R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電流偵測的 600V 30mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3522R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3526R050 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測報告的 650-V 50-mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級
下載
計算工具

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支援產品和硬體

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產品
氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600-V 50-mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET
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計算工具

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

支援產品和硬體

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氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG3410R050 — 具有整合式驅動器和保護功能的 600-V 50-mΩ GaN LMG3410R070 — 具有整合式驅動器和防護的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有整合驅動器和過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3411R050 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 70-mΩ GaN LMG3411R150 — 具有整合驅動器和逐週期過電流保護功能的 600-V 150-mΩ GaN LMG3422R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 30-mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 600-V 50-mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的 650-V 30-mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有整合式驅動器、防護和溫度報告功能的車用 650-V、30-mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有整合式驅動器、防護和零電壓偵測的 650-V 30-mΩ GaN FET
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封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
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  • MTBF/FIT 估算值
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