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ISO5851

アクティブ

アクティブ保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • V CM = 1500V での最小同相過渡耐性 (CMTI):100kV/µs
  • 2.5A ピーク・ソースおよび 5A ピーク・シンク電流
  • 短い伝搬遅延:76ns (標準値)、 110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO):レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧:3V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧:15V~30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度:-40℃~+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 12800V PK
  • 安全関連の認定:
    • 8000V PK V IOTM および 2121V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定
  • V CM = 1500V での最小同相過渡耐性 (CMTI):100kV/µs
  • 2.5A ピーク・ソースおよび 5A ピーク・シンク電流
  • 短い伝搬遅延:76ns (標準値)、 110ns (最大値)
  • 2A のアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームは FLT により通知され、 RST によりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止 (UVLO):レディ (RDY) ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • 入力電源電圧:3V~5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧:15V~30V
  • CMOS 互換の入力
  • 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 動作温度:-40℃~+125℃ (周囲)
  • 絶縁サージ耐久電圧 12800V PK
  • 安全関連の認定:
    • 8000V PK V IOTM および 2121V PK V IORM の、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 準拠の強化絶縁
    • UL1577 準拠で 5700V RMS において 1 分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、および IEC 60601-1 最終機器標準
    • EN 61010-1 および EN 60950-1 準拠の TUV 認定
    • GB4943.1-2011 CQC 認定

ISO5851 は、IGBT および MOSFET 用の 5.7kV RMS、強化絶縁型ゲート・ドライバで、2.5A ソースおよび 5A シンク電流を持ちます。入力側は、単一の 3V および 5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過負荷状況にあることが認識されます。DESAT を検出すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 ポテンシャルまで Low に駆動され、IGBT はただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。この FLT 出力状況はラッチされ、 RST 入力の Low アクティブのパルスによりリセットできます。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。この FLT 出力状況はラッチされ、 RST 入力の Low アクティブのパルスによりリセットできます。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。

ISO5851 は、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

ISO5851 は、IGBT および MOSFET 用の 5.7kV RMS、強化絶縁型ゲート・ドライバで、2.5A ソースおよび 5A シンク電流を持ちます。入力側は、単一の 3V および 5.5V 電源で動作します。出力側では、最小 15V から最大 30V までの電源電圧範囲が使用できます。2 つの相補 CMOS 入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が 76ns と短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化 (DESAT) フォルト検出により、IGBT が過負荷状況にあることが認識されます。DESAT を検出すると、ゲート・ドライバ出力が V EE2 ポテンシャルまで Low に駆動され、IGBT はただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。この FLT 出力状況はラッチされ、 RST 入力の Low アクティブのパルスによりリセットできます。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側の FLT 出力が Low になって、アイソレータ入力がブロックされます。この FLT 出力状況はラッチされ、 RST 入力の Low アクティブのパルスによりリセットできます。

バイポーラ電源による通常動作時に IGBT がオフになると、出力は V EE2 にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況で IGBT が動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する 2 つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合は RDY 出力が Low になり、そうでない場合はこの出力が High になります。

ISO5851 は、16 ピンの SOIC パッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃~+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート ISO5851 高 CMTI 2.5A/5A 絶縁型 IGBT、MOSFET ゲート・ドライバ、アクティブ安全機能搭載 データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 6月 20日
ホワイト・ペーパー アイソレータの故障モードについて (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 4月 15日
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アプリケーション・ノート Digital Isolator Design Guide (Rev. G) PDF | HTML 2023年 9月 13日
ユーザー・ガイド UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC 2023年 9月 1日
ホワイト・ペーパー Circuit Board Insulation Design According to IEC60664 for Motor Drive Apps PDF | HTML 2023年 8月 31日
証明書 ISO5451 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 16日
証明書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. K) 2022年 8月 5日
証明書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. P) 2022年 8月 5日
アプリケーション概要 The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021年 12月 16日
証明書 CSA Certification (Rev. Q) 2021年 6月 14日
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日
機能安全情報 Isolation in AC Motor Drives: Understanding the IEC 61800-5-1 Safety Standard (Rev. A) 2019年 9月 19日
Analog Design Journal Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology (Rev. A) 2018年 8月 22日
機能安全情報 Isolation in solar power converters: Understanding the IEC62109-1 safety standar (Rev. A) 2018年 5月 18日
アプリケーション・ノート Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
ホワイト・ペーパー ACモーター・ドライブの絶縁: IEC 61800-5-1 安全規格の理解 最新英語版 (Rev.A) 2017年 6月 19日
技術記事 Understanding isolator failure modes for safe isolation PDF | HTML 2016年 3月 28日
技術記事 7 steps to choose the right isolators for AC motor-drive applications PDF | HTML 2015年 11月 24日
Analog Design Journal 4Q 2015 Analog Applications Journal 2015年 10月 30日
Analog Design Journal Common-mode transient immunity for isolated gate drivers 2015年 10月 30日
Analog Design Journal Pushing the envelope with high-performance digital-isolation technology 2015年 10月 30日
技術記事 What you can do with a high-CMTI isolator PDF | HTML 2015年 10月 1日
技術記事 Isolators as insulators: using isolation for electrical safety PDF | HTML 2015年 8月 25日
EVM ユーザー ガイド (英語) ISO5851 Evaluation Module User's Guide 2015年 6月 19日
ホワイト・ペーパー Understanding electromagnetic compliance tests in digital isolators 2014年 10月 17日
ホワイト・ペーパー High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日
アプリケーション・ノート Shelf-Life Evaluation of Lead-Free Component Finishes 2004年 5月 24日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

ISO5851EVM — ISO5851 評価モジュール(EVM)

This evaluation module, featuring ISO5851 reinforced isolated gate driver device, allows designers to evaluate device AC and DC performance with a pre-populated 1-nF load or with a user-installed IGBT in either of the standard TO-247 or TO-220 packages.

ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

ISO5851 IBIS Model

SLLM275.ZIP (33 KB) - IBIS Model
シミュレーション・モデル

ISO5851 PSpice Transient Model

SLLM291.ZIP (73 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

ISO5851 TINA-TI Transient Reference Design

SLLM336.TSC (594 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

ISO5851 TINA-TI Transient Spice Model

SLLM335.ZIP (21 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル

ISO5851 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLLM447.ZIP (3 KB) - PSpice Model
設計ツール

SLLR118 ISO5851EVM Design Files

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
絶縁型ゲート・ドライバ
ISO5851 アクティブ保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ
ハードウェア開発
評価ボード
ISO5851EVM ISO5851 評価モジュール(EVM)
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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リファレンス・デザイン

TIDA-00446 — 小型フォーム ファクタ強化絶縁型 IGBT ゲート・ドライブ・リファレンス・デザイン、3 相インバータ用

The TIDA-00446 reference design consists of six reinforced isolated IGBT gate drivers along with dedicated gate drive power supplies. This compact reference design is intended to control IGBT’s in 3-phase inverters like AC drives, uninterruptible power supplies (UPS) and solar inverters. The (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

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