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ONET8551T

アクティブ

RSSI 搭載、11.3Gbps、リミッティング トランスインピーダンス アンプ

製品詳細

Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 11300 Supply current (typ) (µA) 28000 Supply current (max) (µA) 40000 Deterministic jitter (typ) (ps) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 100
Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 11300 Supply current (typ) (µA) 28000 Supply current (max) (µA) 40000 Deterministic jitter (typ) (ps) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 100
DIESALE (Y) See data sheet WAFERSALE (YS) See data sheet
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.

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技術資料

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* データシート 11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI, ONET8551T データシート 2013年 10月 24日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

シミュレーション・ツール

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シミュレーション・ツール

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TINA は DesignSoft (...)

ユーザー ガイド: PDF
英語版 (Rev.A): PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00088 — 10G SFP+ LR 光学モジュール対応フォーム・ファクタの TI の ONET 部品用完全リファレンス・デザイン

テキサス・インスツルメンツのこのリファレンス・デザインは、ONET1151L レーザー・ドライバ、ONET8551T 高ゲイン・トランスインピーダンス・アンプ(TIA)、および ONET1151P リミッティング・アンプの光学性能を実証する目的で設計されたものです。10.3125Gbps の SFP+ LR 光学モジュールと互換性のあるフォーム・ファクタで供給されており、SFP+ ホスト・ボードとユーザーに配慮した GUI で、お客様側で評価に要する時間を短縮できます。ONET の部品に加えて、このリファレンス・デザインには MSP430FR5728 (...)
試験報告書: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DIESALE (Y)
WAFERSALE (YS)

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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