TPS737
- Stable with 1µF or larger ceramic output capacitor
- Input voltage range: 2.2V to 5.5V
- Ultra-low dropout voltage
- Legacy silicon: 130mV typical at 1A
- New silicon: 122mV typical at 1A
- Excellent load transient response—even with only 1µF output capacitor
- NMOS topology delivers low reverse leakage current
- Initial accuracy: 1%
- Overall accuracy over line, load, and temperature
- Legacy silicon: 3%
- New silicon: 1.5%
- Less than 20nA typical IQ in shutdown mode
- Thermal shutdown and current limit for fault protection
- Available in multiple output voltage versions:
- Adjustable output: 1.20V to 5.5V
- Custom outputs available using factory package-level programming
The TPS737 linear low-dropout (LDO) voltage regulator uses an NMOS pass transistor in a voltage-follower configuration. This topology is relatively insensitive to the output capacitor value and ESR, allowing for a wide variety of load configurations. Load transient response is excellent, even with a small 1µF ceramic output capacitor. The NMOS topology also allows for very low dropout.
The TPS737 uses an advanced BiCMOS process to yield high precision while delivering very low dropout voltages and low ground pin current. Devices that use the latest manufacturing flow have an updated design with new silicon on the latest TI process technology. Current consumption, when not enabled, is less than 20nA and is designed for portable applications. This device is protected by thermal shutdown and foldback current limit.
For applications that require higher output voltage accuracy, consider TI’s TPS7A37 1% overall accuracy, 1A low-dropout voltage regulator.
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기술 자료
| 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | TPS737 1A Low-Dropout Regulator With Reverse Current Protection datasheet (Rev. U) | PDF | HTML | 2024/09/30 |
| Application note | LDO Noise Demystified (Rev. B) | PDF | HTML | 2020/08/18 | |
| Application note | A Topical Index of TI LDO Application Notes (Rev. F) | 2019/06/27 | ||
| Application note | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017/08/09 | |
| EVM User's guide | TPS73701DRVEVM-529 User's Guide | 2013/02/20 | ||
| Application note | LDO Performance Near Dropout | 2010/10/08 | ||
| User guide | TPS73x01DRBEVM-518 User's Guide | 2009/08/13 | ||
| Application note | 5 VIN solution using DCDC Controllers, a LDO, and a Digitally Prog. Sequencer | 2008/11/24 | ||
| User guide | DEM-SOT223LDO Demonstration Fixture | 2003/10/15 |
설계 및 개발
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TPS73701 TINA-TI Transient Reference Design
많은 TI 레퍼런스 설계에는 TPS737이(가) 포함됩니다.
레퍼런스 디자인 선택 툴을 사용하여 애플리케이션 및 매개 변수에 가장 적합한 설계를 검토하고 식별할 수 있습니다.
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| SOT-223 (DCQ) | 6 | Ultra Librarian |
| VSON (DRB) | 8 | Ultra Librarian |
| WSON (DRV) | 6 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.