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UCC28C51-Q1

활성

오토모티브, 30V, 저전력 전류 모드 PWM 컨트롤러, 7V/6.6V UVLO, 50% 듀티 사이클

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UCC28C51-Q1

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제품 상세 정보

Operating temperature range (°C) -40 to 150 Control mode Current Topology Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC Rating Automotive Features Adjustable switching frequency, Current limiting, Dead time control, Error amplifier, Fixed frequency, Multi-topology, Programmable max duty cycle Duty cycle (max) (%) 50 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Operating temperature range (°C) -40 to 150 Control mode Current Topology Boost, Buck, Flyback, Forward, SEPIC Rating Automotive Features Adjustable switching frequency, Current limiting, Dead time control, Error amplifier, Fixed frequency, Multi-topology, Programmable max duty cycle Duty cycle (max) (%) 50 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Undervoltage lockout options to support both Si and SiC MOSFET applications

  • 30-V VDD absolute maximum voltage

  • 1-MHz maximum Fixed frequency oeration
  • 50-µA startup current, 75-µA maximum
  • Low operating current : 1.3 mA at fOSC = 52 kHz
  • High operating TJ : 150℃ maximum
  • Fast 35-ns cycle-by-cycle over-current limiting
  • ±1-A peak driving current
  • Rail-to-rail output:
    • 25-ns rise time
    • 20-ns fall time
  • ±1% accurate 2.5-V error amplifier reference

  • Pin-to-pin compatible and drop-in replacement for UCC28C4x-Q1

  • Functional Safety-Capable
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: -40°C to 125°C
    • Device HBM classification level 2: ±2 kV
    • Device CDM classification level C4B: 750 V
  • Undervoltage lockout options to support both Si and SiC MOSFET applications

  • 30-V VDD absolute maximum voltage

  • 1-MHz maximum Fixed frequency oeration
  • 50-µA startup current, 75-µA maximum
  • Low operating current : 1.3 mA at fOSC = 52 kHz
  • High operating TJ : 150℃ maximum
  • Fast 35-ns cycle-by-cycle over-current limiting
  • ±1-A peak driving current
  • Rail-to-rail output:
    • 25-ns rise time
    • 20-ns fall time
  • ±1% accurate 2.5-V error amplifier reference

  • Pin-to-pin compatible and drop-in replacement for UCC28C4x-Q1

  • Functional Safety-Capable
  • AEC-Q100 qualified with the following results
    • Device temperature grade 1: -40°C to 125°C
    • Device HBM classification level 2: ±2 kV
    • Device CDM classification level C4B: 750 V

The UCC28C5x-Q1 family of devices are high performance current-mode PWM controllers which can be used to drive both Si and SiC MOSFETs in various applications. The UCC28C5x-Q1 family is a more efficient and robust version of the UCC28C4x-Q1.

The UCC28C5x-Q1 family has new UVLO thresholds that allow for reliable SiC MOSFET operation (UCC28C56-59-Q1), in addition to existing UVLO thresholds for continued Si MOSFET support (UCC28C50-55-Q1).

VDD absolute maximum voltage rating is extended from 20 V to 30 V for optimally driving the gate of 20-Vgs, 18-Vgs, or 15-Vgs SiC MOSFETs, while also allowing for the exclusion of an external LDO.

The UCC28C5x-Q1 family of devices are high performance current-mode PWM controllers which can be used to drive both Si and SiC MOSFETs in various applications. The UCC28C5x-Q1 family is a more efficient and robust version of the UCC28C4x-Q1.

The UCC28C5x-Q1 family has new UVLO thresholds that allow for reliable SiC MOSFET operation (UCC28C56-59-Q1), in addition to existing UVLO thresholds for continued Si MOSFET support (UCC28C50-55-Q1).

VDD absolute maximum voltage rating is extended from 20 V to 30 V for optimally driving the gate of 20-Vgs, 18-Vgs, or 15-Vgs SiC MOSFETs, while also allowing for the exclusion of an external LDO.

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기술 자료

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5개 모두 보기
유형 직함 날짜
* Data sheet UCC28C5x-Q1 Automotive Low-Power Current-Mode High-Performance PWM Controller for Si and SiC MOSFETs datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2023/03/14
White paper Isolated Bias Power Supply Architecture for HEV and EV Traction Inverters PDF | HTML 2023/10/11
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Functional safety information UCC28C5x-Q1 Funcitonal safety FIT rate, FMD, and pin FMA PDF | HTML 2022/09/12
Application note High Density Auxiliary Power Supply Using a SiC MOSFET for 800-V Traction Invert PDF | HTML 2022/07/06

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC28C56EVM-066 — (보조 권선을 사용한) 1차측 컨트롤 플라이백 레귤레이터용 UCC28C56H-Q1 평가 모듈

UCC28C56EVM-066은 고도로 효율적인 EV 및 HEV 오토모티브 파워 트레인용 1차측 제어(보조 권선 사용) 플라이백 보조 전원 공급 장치입니다. 이 설계는 800V 배터리 시스템에 15.2VTYP, 40W 출력을 제공합니다. 125V~1,000V의 입력 전압 범위에서 40W를 제공합니다. 정확한 출력 전압은 부하에 따라 다릅니다. 이 설계는 40V~125V 입력 범위에서 20W를 공급합니다. 이 EVM은 1,700V SiC(실리콘 카바이드) MOSFET을 사용하기 때문에 800V 배터리 시스템에 이상적입니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

UCC28C51 and UCC28C51-Q1 PSpice Model

SLUM840.ZIP (5 KB) - PSpice Model
다운로드
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

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포럼 주제 모두 보기(영문)

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