UCC28C56H
- Undervoltage lockout options to support both Si and SiC MOSFET applications
- 30-V VDD absolute maximum voltage
- 1-MHz maximum fixed frequency operation
- 50-µA startup current, 75-µA maximum
- Low operating current: 1.3 mA (at f OSC = 52 kHz)
- Fast 35-ns, cycle-by-cycle overcurrent limiting
- ±1-A peak driving current
- Rail-to-rail output
- 25-ns rise time
- 20-ns fall time
- ±1% accurate 2.5-V error amplifier reference
- Pin-to-pin compatible and drop-in replacement for UCCx8C4x
- Functional Safety-Capable
- Documentation available to aid functional safety system design
The UCCx8C5x family of devices are high-performance current-mode PWM controllers that can drive both Si and SiC MOSFETs in various applications. The UCCx8C5x family is a more efficient and robust version of the UCCx8C4x.
The UCCx8C5x family has new UVLO thresholds that allow for reliable SiC MOSFET operation (UCC28C56-59), in addition to existing UVLO thresholds for continued Si MOSFET support (UCCx8C50-55).
VDD absolute maximum voltage rating is extended from 20 V to 30 V for optimally driving the gate of 20-V gs, 18-V gs, or 15-V gs SiC MOSFETs, while also allowing for the exclusion of an external LDO.
The UCCx8C5x family is offered in 8-pin VSSOP (DGK), and 8-pin SOIC (D) packages.
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기술 자료
유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | UCCx8C5x Low-Power Current-Mode High-Performance PWM Controller for Si and SiC MOSFETs datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 2023/03/23 |
User guide | Using the UCC28C56EVM-066 (Rev. C) | PDF | HTML | 2022/12/07 |
설계 및 개발
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UCC28C56EVM-066 — (보조 권선을 사용한) 1차측 컨트롤 플라이백 레귤레이터용 UCC28C56H-Q1 평가 모듈
UCC28C56EVM-066은 고도로 효율적인 EV 및 HEV 오토모티브 파워 트레인용 1차측 제어(보조 권선 사용) 플라이백 보조 전원 공급 장치입니다. 이 설계는 800V 배터리 시스템에 15.2VTYP, 40W 출력을 제공합니다. 125V~1,000V의 입력 전압 범위에서 40W를 제공합니다. 정확한 출력 전압은 부하에 따라 다릅니다. 이 설계는 40V~125V 입력 범위에서 20W를 공급합니다. 이 EVM은 1,700V SiC(실리콘 카바이드) MOSFET을 사용하기 때문에 800V 배터리 시스템에 이상적입니다.
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치