8-pin (P) package image

LF356N/NOPB 現行

單路、36-V、5-MHz、高電壓轉換率 (12-V/µs)、輸入至 V+、JFET 輸入運算放大器

open-in-new 檢視替代方案

定價

數量 價格
+

品質資訊

等級 Catalog
RoHS
REACH
引腳鍍層 / 焊球材質 NIPDAU
MSL 等級 / 迴焊峰值 Level-1-NA-UNLIM
品質、可靠性
及包裝資訊

內含資訊:

  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 引腳鍍層 / 焊球材質
  • MSL 等級 / 迴焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
檢視或下載
其他製造資訊

內含資訊:

  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點
檢視

出口分類

*僅供參考

  • 美國 ECCN:EAR99

封裝資訊

封裝 | 針腳 PDIP (P) | 8
操作溫度範圍 (°C) 0 to 70
包裝數量 | 運送業者 40 | TUBE

LF356 的特色

  • Advantages
    • Replace Expensive Hybrid and Module FET
      Op Amps
    • Rugged JFETs Allow Blow-Out Free Handling
      Compared With MOSFET Input Devices
    • Excellent for Low Noise Applications Using
      Either High or Low Source Impedance–Very
      Low 1/f Corner
    • Offset Adjust Does Not Degrade Drift or
      Common-Mode Rejection as in Most
      Monolithic Amplifiers
    • New Output Stage Allows Use of Large
      Capacitive Loads (5,000 pF) Without Stability
      Problems
    • Internal Compensation and Large Differential
      Input Voltage Capability
  • Common Features
    • Low Input Bias Current: 30 pA
    • Low Input Offset Current: 3 pA
    • High Input Impedance: 1012 Ω
    • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
    • High Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB
    • Large DC Voltage Gain: 106 dB
  • Uncommon Features
    • Extremely Fast Settling Time to 0.01%:
      • 4 µs for the LFx55 devices
      • 1.5 µs for the LFx56
      • 1.5 µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Fast Slew Rate:
      • 5 V/µs for the LFx55
      • 12 V/µs for the LFx56
      • 50 V/µs for the LFx57 (AV = 5)
    • Wide Gain Bandwidth:
      • 2.5 MHz for the LFx55 devices
      • 5 MHz for the LFx56
      • 20 MHz for the LFx57 (AV = 5)
    • Low Input Noise Voltage:
      • 20 nV/√Hz for the LFx55
      • 12 nV/√Hz for the LFx56
      • 12 nV/√Hz for the LFx57 (AV = 5)

LF356 的說明

The LFx5x devices are the first monolithic JFET input operational amplifiers to incorporate well-matched, high-voltage JFETs on the same chip with standard bipolar transistors (BI-FET™ Technology). These amplifiers feature low input bias and offset currents/low offset voltage and offset voltage drift, coupled with offset adjust, which does not degrade drift or common-mode rejection. The devices are also designed for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f noise corner.

定價

數量 價格
+

包裝類型選項

您可依零件數量選擇不同包裝類型選項,包含完整捲盤、客製化捲盤、剪切捲帶、承載管或盤。

客製化捲盤是從一個捲盤上剪切下來的連續剪切捲帶,以維持批次和日期代碼可追溯性,依要求剪切至確切數量。依照業界標準,銅墊片會在剪切捲帶兩側連接 18 英吋前後導帶,以直接送至自動組裝機器。針對客製化捲盤訂單,TI 將酌收捲帶封裝費用。

剪切捲帶是從捲盤剪切下來的一段捲帶。TI 可能使用多條剪切捲帶或承載盒,以滿足訂單要求數量。

TI 常以盒裝或管裝、盤裝方式運送承載管裝置,視現有庫存而定。所有捲帶、管或樣本盒之封裝,皆符合公司內部靜電放電與防潮保護包裝要求。

進一步了解

可提供批次和日期代碼選擇

在購物車中加入數量,並開始結帳流程以檢視可用選項,從現有庫存中選擇批次或日期代碼。

進一步了解