CSD25213W10
-20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, Gate-ESD-Schutz
Datenblatt
CSD25213W10
- Ultra Low Qg and Qgd
- Small Footprint 1mm × 1mm
- Low Profile 0.62mm Height
- Pb Free
- Gate-Source Voltage Clamp
- Gate ESD Protection
- RoHS Compliant
- Halogen Free
The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.
Technische Dokumentation
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Alle anzeigen 9 Typ | Titel | Datum | ||
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* | Data sheet | P-Channel NexFET™ Power MOSFET, CSD25213W10 datasheet | 19 Jun 2013 | |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 14 Jun 2024 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 25 Mär 2024 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 18 Dez 2023 | |
Application note | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 14 Dez 2023 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 13 Mär 2023 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 31 Mai 2022 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 07 Nov 2019 | ||
Application note | AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) | 14 Jun 2019 |
Design und Entwicklung
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Support-Software
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
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DSBGA (YZB) | 4 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
Beinhaltete Information:
- RoHS
- REACH
- Bausteinkennzeichnung
- Blei-Finish/Ball-Material
- MSL-Rating / Spitzenrückfluss
- MTBF-/FIT-Schätzungen
- Materialinhalt
- Qualifikationszusammenfassung
- Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
- Werksstandort
- Montagestandort
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