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CSD25310Q2

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–20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 23,9 mOhm

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CSD25310Q2

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 23.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32.5 VGSTH typ (typ) (V) -0.85 QG (typ) (nC) 3.6 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 9.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -8 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 23.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 32.5 VGSTH typ (typ) (V) -0.85 QG (typ) (nC) 3.6 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 9.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DQK) 6 4 mm² 2 x 2
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low On Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low On Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package

This 19.9 mΩ, –20 V P-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Its low on resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2 mm × 2 mm plastic package make the device ideal for battery operated space constrained operations.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the data sheet.

This 19.9 mΩ, –20 V P-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Its low on resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2 mm × 2 mm plastic package make the device ideal for battery operated space constrained operations.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

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LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Unterstützte Produkte und Hardware

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25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8.8 mOhm CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.6 mOhm CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.1 mOhm CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6.3 mOhm CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.9 mOhm CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.7 mOhm CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.4 mOhm CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15.5 mOhm CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17382F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6mm, 67 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17483F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17484F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.5 mOhm CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.2 mOhm CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8.1 mOhm CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17570Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0.92 mOhm CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3.2 mOhm CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.8 mOhm CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9.4 mOhm CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,2 mOhm CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18501Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm CSD18504Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — 40-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — 60-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — 60-V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2 mOhm CSD18535KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,6 mOhm CSD18536KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 21,6 mOhm CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4 mOhm CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm CSD19505KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm CSD19506KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm CSD19531KCS — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFE, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm CSD19535KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm CSD19536KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm CSD19536KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD22202W15 — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 12,2 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD22204W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD22205L — -8V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Single-LGA 1,2 mm x 1,2 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD22206W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 5,7 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23202W10 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 53 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23203W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 19,4 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23280F3 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23285F5 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23381F4 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 175 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23382F4 — -12 V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25202W15 — -20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 26 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25211W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25213W10 — -20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25304W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 32,5 mOhm CSD25310Q2 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 23,9 mOhm CSD25402Q3A — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,9 mOhm CSD25404Q3 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,5 mOhm CSD25480F3 — -20-V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25481F4 — -20 V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25483F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 245 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25484F4 — -20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, einzelnes LGA 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25485F5 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25501F3 — -20-V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz
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Simulationsmodell

CSD25310Q2 TINA-TI Spice Model

SLPM123.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
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Simulationsmodell

CSD25310Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM105B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Referenzdesigns

PMP9491 — Audio-Boom-Box/Tragbares Stereogerät-Referenzdesign mit effizientem Aufwärtswandler

PMP9491 is a 30W highly efficient and compact Portable Speaker/Audio Boom Box reference Design which can be used in 15W +15W Stereo or 30W Woofer Applications. The Power Source for the Design is 1 or 2 Li ion in Series . The design is broadly divided into three main stages:
  1. Highly efficient (...)
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Referenzdesigns

TIDA-00466 — Referenzdesign für störfestes kapazitives Näherungssensorsystem

The FDC2214 proximity and capacitive sensing design demonstrates the use of TI's capacitive sensing technology to sense and detect the presence of various objects. The design is a complete hardware and firmware solution. The firmware  processes the data from one proximity sensor and two (...)
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Referenzdesigns

TIDA-00757 — Referenzdesign für intelligentes Türschloss mit einer Batterielaufzeit von mehr als fünf Jahren (4 A

With the increasing number of building and home owners looking to retrofit smart locks (or electronic locks) to their building or home, wireless battery powered smart locks are becoming increasingly popular in today’s market.  In a smart lock application, the high current motor and (...)
Design guide: PDF
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Referenzdesigns

TIDA-01067 — Referenzdesign für intelligente Dämpfersteuerung mit Druck-, Feuchte- und Temperatursensorik

Dieses Referenzdesign wurde entwickelt, um die Steuerung mehrerer Raumkomforts in verbundenen Heizungs-, Lüftungs- und Klimaanlagen (HLK) zu ermöglichen. Die Erfassung von Temperatur, Luftfeuchtigkeit und Druck ermöglicht eine unabhängige Überwachung und Einstellung des Luftstroms in jeder Zone. (...)
Design guide: PDF
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Referenzdesigns

TIDA-00998 — Teilsystem zur Energiegewinnung und Störungsanzeige für Overhead-Störungsmelder – Referenzdesign

Dieses Referenzdesign zeigt verschiedene Architekturen zur Verlängerung der Lebensdauer der Primärbatterie durch eine Sekundärbatterie oder einen Superkondensator mit Energie aus einem Stromwandler (CT) oder Solarzellen. Ein optimales Energiemanagement erfolgt durch die Verwendung effizienter (...)
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Referenzdesigns

TIDA-050033 — Referenzdesign für Stromversorgung mit SPS-Modul für intelligente Zähler

The TIDA-050033 reference design demonstrates the backup power supply solution for smart meter PLC module. By using a cost-effective boost converter TLV61048, minimum operating voltage is extended to maximize super capacitor usage rate. Smaller size (lower capacitance) super capacitor could be (...)
Design guide: PDF
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Referenzdesigns

TIDA-01385 — Energiegewinnung aus Stromwandler mit Superkondensator für Fehleranzeige – Referenzdesign

Power management for the energy harvesting, energy buffering and back-up power is a key challenge in the fault indicator design. The TIDA-01385 introduces a circuit about harvesting energy from a current transformer for the system load of a fault indicator while storing the extra energy in a super (...)
Design guide: PDF
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Referenzdesigns

PMP4496 — Referenzdesign für USB-C-DRP-Ladegerät mit Schnellladeeingang

PMP4496 is a power bank reference design with a single USB type C dual role port (DRP). It can perform as a SINK or SOURCE. Role is automatically determined according to the external device attached. Fast charger input is also supported to save more charging time.
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Referenzdesigns

PMP11536 — Referenzdesign für Powerbank mit USB-C DFP + 5 V bei 2 A mit Schnellladeeingang

PMP11536 is a power bank reference design with a USB typc C DFP plus a USB type A port employing the boost mode of a Maxcharger. Fast charger input is also supported to save more charging time. It can detect the input port attach/detach events automatically, as well as the output ports.
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
WSON (DQK) 6 Ultra Librarian
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