CSD13385F5
12 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 19 mOhm, Gate-ESD-Schutz
CSD13385F5
- Low on resistance
- Low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint
- 1.53 mm × 0.77 mm
- Low profile
- 0.36-mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated > 4-kV HBM
- Rated > 2-kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.
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Technische Dokumentation
Typ | Titel | Datum | ||
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* | Data sheet | CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 08 Sep 2021 |
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More literature | WCSP Handling Guide | 07 Nov 2019 | ||
EVM User's guide | Ultra-Small Footprint N-Channel FemtoFET™ MOSFET Test EVM | 06 Dez 2017 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 07 Jul 2016 |
Design und Entwicklung
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CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N-Kanal-Evaluierungsmodul
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
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