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CSD25501F3

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-20-V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz

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Datenblatt

CSD25501F3

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -20 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 76 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 125 VGSTH typ (typ) (V) -0.75 QG (typ) (nC) 1.02 QGD (typ) (nC) 0.09 QGS (typ) (nC) 0.45 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJN) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.7mm × 0.6mm
  • Low profile
    • 0.22mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.7mm × 0.6mm
  • Low profile
    • 0.22mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –20V, 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode increases as VGS is increased above –6V.

This –20V, 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode increases as VGS is increased above –6V.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

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LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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MOSFETs
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20-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 19,2 mOhm CSD16301Q2 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD16321Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,6 mOhm CSD16322Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD16323Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16325Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD16327Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,8 mOhm CSD16340Q3 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 5,5 mOhm CSD16342Q5A — 25 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,5 mOhm CSD16401Q5 — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD16403Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,7 mOhm CSD16404Q5A — 25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 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25-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,82 mOhm CSD17301Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3 mOhm CSD17302Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9 mOhm CSD17303Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm CSD17304Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8.8 mOhm CSD17305Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.6 mOhm CSD17306Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD17307Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.1 mOhm CSD17308Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm CSD17309Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6.3 mOhm CSD17310Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.9 mOhm CSD17311Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm CSD17312Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.7 mOhm CSD17313Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17318Q2 — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 12.4 mOhm CSD17327Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15.5 mOhm CSD17381F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17382F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6mm, 67 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17483F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17484F4 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD17501Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17505Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3.5 mOhm CSD17506Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4 mOhm CSD17507Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17510Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.2 mOhm CSD17522Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8.1 mOhm CSD17527Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm CSD17551Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — 30 V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17570Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0.92 mOhm CSD17571Q2 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1.45 mOhm CSD17575Q3 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 3.2 mOhm CSD17576Q5B — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2.9 mOhm CSD17577Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5.8 mOhm CSD17578Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9.4 mOhm CSD17578Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 4,2 mOhm CSD17581Q5A — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm CSD17585F5 — 30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18501Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7 mOhm CSD18504Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,7 mOhm CSD18510KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — 40-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,6 mOhm CSD18511KTT — 40 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — 40-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — 40 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — 40 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — 60-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — 60-V, N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2 mOhm CSD18535KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2 mOhm CSD18536KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 1,6 mOhm CSD18536KTT — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 21,6 mOhm CSD18537NKCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, TO-220, 14 mOhm CSD18537NQ5A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 2,2 mOhm CSD18541F5 — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 1,5 mm x 0,8 mm, 65 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD18542KCS — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 4 mOhm CSD18542KTT — 60 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 4 mOhm CSD18543Q3A — 60 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,9 mOhm CSD18563Q5A — 60 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,8 mOhm CSD19501KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 6,6 mOhm CSD19502Q5B — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,1 mOhm CSD19503KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 9,2 mOhm CSD19505KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,1 mOhm CSD19505KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,1 mOhm CSD19506KCS — 80 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,3 mOhm CSD19506KTT — 80 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 2,3 mOhm CSD19531KCS — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — 100-V-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFE, Einzel-TO-220, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — 100 V, N-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 3,6 mOhm CSD19535KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-D2PAK, 3,4 mOhm CSD19536KCS — 100 V, NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-TO-220, 2,7 mOhm CSD19536KTT — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit einem Kanal, D2PAK, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — 100 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD22202W15 — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 12,2 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD22204W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD22205L — -8V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Single-LGA 1,2 mm x 1,2 mm, 9,9 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD22206W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 5,7 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23202W10 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 53 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23203W — -8 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 19,4 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23280F3 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23285F5 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23381F4 — -12 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 175 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD23382F4 — -12 V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25202W15 — -20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1,5 mm x 1,5 mm, 26 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25211W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25213W10 — -20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25304W1015 — -20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-WLP 1 mm x 1,5 mm, 32,5 mOhm CSD25310Q2 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 2 mm x 2 mm, 23,9 mOhm CSD25402Q3A — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 8,9 mOhm CSD25404Q3 — –20 V, P-Kanal NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 6,5 mOhm CSD25480F3 — -20-V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25481F4 — -20 V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25483F4 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 1 mm, 245 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25484F4 — -20-V, P-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFET, einzelnes LGA 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25485F5 — -20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,8 mm x 1,5 mm, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz CSD25501F3 — -20-V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-LGA 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, Gate-ESD-Schutz
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Simulationsmodell

CSD25501F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM337A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
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Referenzdesigns

TIDA-010070 — Referenzdesign für geschützte DC-Bus-Stromversorgung und -Steuerung für Niederspannungs-Servoantrieb

This reference design uses an ORing controller, the LM5050-1 to provide protection against reverse polarity and reverse current. In conjunction, the LM5069 hot swap controller is used for overcurrent, over voltage, under voltage protection, and inrush current limitation. The design also features (...)
Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
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PICOSTAR (YJN) 3 Ultra Librarian
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